高端半导体装备研发与制造中心建设项目可行性研究报告
思瀚产业研究院 晶亦精微    2023-09-14

1、项目概述

项目建设地点位于江苏省无锡市，拟购置自有厂房及办公楼实施项目，建筑面积为 18,000.00m2，计划总投资额 55,464.66 万元，建设周期为 3 年，拟合计新增各类设备 2,591 台（套/个）。

项目根据行业发展趋势及半导体技术发展路径，结合公司现有技术积累，将持续不断地开发新产品和新技术，拟对现有产品进行扩产，并进行第三代半导体材料 CMP 成套工艺及设备的开发及产业化生产。

项目建成后，可形成年产第三代半导体材料 CMP 设备 18 台、8 英寸 CMP 设备12 台、12 英寸 CMP 设备 22 台、6/8 英寸兼容 CMP 设备 10 台的生产规模。

2、项目建设的必要性

（1）聚焦第三代半导体 CMP 设备开发，抓住第三代半导体制造带来的市场发展机遇

根据前瞻产业研究院及《2022 第三代半导体产业发展白皮书》数据，2021年及 2022 年，我国第三代半导体产业中电力电子和射频电子两个领域分别实现总产值 127 亿元和 142 亿元，分别同比增长 20.4%和 11.7%，产业发展迅速。

技术层面，第三代半导体材料硬度相对较大，抛光时需要提供更大的抛光压力，需要配备更大压力的抛光头及更精准的压力控制系统以满足第三代半导体的抛光需求。综上，随着第三代半导体产业的快速发展，CMP 设备应用将更为广泛。

该项目面向晶圆生产、集成电路制造等行业以碳化硅等脆硬材料为代表的特殊材料表面平坦化工艺需求，开发第三代半导体材料 CMP 成套工艺及设备，重点攻克碳化硅高效全局平坦化，研磨液循环利用系统、研磨液均匀分布系统等在研技术的产品化及产业化落地。

计划在 2026 年完成碳化硅 CMP 产品线布局，推出满足第三代半导体材料全局平坦化的 CMP 设备 Horizon-W，并基于该产品完成客户端的工艺开发及性能验证。

（2）扩大现有产能，抓住芯片制程工艺升级带来的 CMP 设备采购需求

随着芯片制程工艺的升级，CMP 设备市场规模将迎来新的增长点。随着芯片制程的不断缩小，CMP 工艺在半导体生产流程中的应用次数逐步增加，以逻辑芯片为例，65nm 制程芯片需经历约 12 道 CMP 步骤，而 7nm 制程芯片所需的 CMP 处理则增加为 30 余道，CMP 设备应用将更为频繁。

本项目拟在无锡购置厂房及先进生产、测试设备，招聘专业人才，扩大现有产品的产能，抓住芯片制程工艺升级带来的 CMP 设备采购需求。本项目的建设有利于加强公司持续盈利能力，巩固并增强公司市场地位，提升公司整体竞争力及品牌知名度。

（3）优化研发及生产环境，提升公司持续经营能力

公司业务规模快速扩大，促使公司技术研发也逐渐深化和延伸，研发项目在研发、生产过程中所需的硬件设备的种类、功能不断增加，加之半导体装备的研发及生产对场地均有一定要求，现有场地已不能满足需要。

同时，公司客户、供应商及行业产业区大多集中在长三角地区，因此为满足长三角旺盛的客户需求，结合当地丰富的供应链体系，本项目拟在无锡购置研发及生产场所，引进高端专业人才，进行研发及生产活动。本项目的建设有利于优化研发及生产环境，扩展长三角地区客户资源，进而提高市场占有率，提升公司持续经营能力。

3、项目建设的可行性

（1）公司产品具有广阔的市场空间

在以物联网、人工智能、汽车电子、智能手机、智能穿戴、云计算、大数据和安防电子等为主的新兴应用领域强劲需求的带动下，半导体行业的景气度保持整体增长趋势，在此背景下全球主要半导体制造企业纷纷在近年提出加大资本支出的计划，或开启新一轮的半导体投资周期。

此外，第三代半导体下游应用领域广阔，据 CASA Research 数据，消费类电源、工业及商业电源、不间断电源UPS 和新能源汽车为碳化硅、氮化镓电子电力器件的前四大应用领域，分别占比 28%、26%、13%和 11%，随着下游终端需求不断向好，第三代半导体的需求亦有望持续释放。

同时叠加国家政策对第三代半导体发展的大力支持，第三代半导体材料潜在市场空间巨大。因此，本项目产品具有广阔的市场空间。

（2）公司具有丰富的技术储备

公司所在行业属于技术密集型行业，产品技术含量高，生产工艺复杂，企业的发展需要较强的研发实力和技术积累，经过持续的研发投入，公司拥有亚纳米级全局平坦化技术、光电磁一体化终点检测技术、超净无损清洗技术和设备智能分析和控制系统等 CMP 核心技术。公司丰富的技术储备，为本项目的实施奠定了良好的技术基础。

4、项目建设及研发内容

（1）研发内容

课题名称：第三代半导体材料 CMP 成套工艺及设备开发课题

研发周期：36 个月

主要研发内容：面向晶圆生产、集成电路制造等行业以碳化硅等脆硬材料为代表的特殊材料表面平坦化工艺需求，开发第三代半导体材料 CMP 成套工艺及设备，重点攻克碳化硅高效全局平坦化，研磨液循环利用系统、研磨液均匀分布系统等在研技术的产品化及产业化落地。拟达到的目标：在 2026 年，完成碳化硅 CMP 产品线布局，推出满足第三代半导体材料全局平坦化的 CMP 设备Horizon-W，并基于该产品完成客户端的工艺开发及性能验证。

（2）产业化内容

项目建成后，预计可形成第三代半导体材料 CMP 设备 18 台、8 英寸 CMP设备 12 台、12 英寸 CMP 设备 22 台、6/8 英寸兼容 CMP 设备 10 台的产能规模。

5、项目投资估算

本项目拟使用募集资金金额 55,000.00 万元.