IC载板阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶研发能力提升项目可行性研究报告
思瀚产业研究院 容大感光    2024-06-09

1、项目基本情况

本项目计划投资 10,179.75 万元，实施地点位于珠海市南水镇平湾四路东北侧，实施主体为公司全资子公司珠海容大。

公司计划通过珠海容大实施 IC 载板阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶研发能力提升项目，将围绕“IC 载板阻焊干膜光刻胶”、“248nm 光刻胶关键原材料测试评估”、“248nm 厚膜正胶产品开发”、“248nm 负性 lift-off 光刻胶产品开发”、“248nm 高分辨正胶产品开发”、“248nm 光刻胶光刻工艺开发”等 6 大研发课题进行研究，旨在提升公司在 IC 载板阻焊干膜光刻胶、KrF 半导体光刻胶的研发能力，为后续丰富产品体系奠定基础，实现自身可持续发展。

2、项目实施的必要性

（1）布局 IC 载板高端阻焊干膜领域，促进产业链国产替代、自主可控

IC 载板用阻焊干膜性能优异，是国家支持发展的材料之一。IC 载板用阻焊干膜具有优异的性能，系高端光刻胶类别之一，可作为阻焊层的应用方案，可应用于半导体领域 IC 载板生产制造，以匹配芯片封装的精细要求。

相较于传统的液态型阻焊油墨，阻焊干膜不需要进行丝印（或辊涂）、静置、预烘干等工序，可以节省复杂工序，缩短工艺制程，从而提高生产稳定性及提升产品良率。

IC 载板用阻焊干膜形成的阻焊层在表面平整性、开窗（PAD/SRO）精细程度、可靠性（高温高湿耐性、机械性能）等方面品质更为优越，且产品本身的环保性更为优良，能够为下游客户提供更为高效、高质量、环保的解决方案。根据工信部发布的《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024 年版）》，“封装基板用高性能阻焊”（序号 240）已列入重点新材料首批次应用示范指导目录，而 IC 载板阻焊干膜（固态）与序号 240 产品（液态阻焊）同属封装基板用高性能阻焊类产品，系国家及产业政策重点支持引导的高新技术材料。

目前阻焊干膜的国产替代化率极低，而 IC 载板用阻焊干膜更是近乎全进口，目前由日本太阳油墨公司、日本 Resonac 公司垄断，内资供应尚处于空白状态。

公司提前重点布局 IC 载板阻焊干膜光刻胶市场，以匹配下游封装基板厂商的研发、量产需求，对于促进干膜光刻胶产业链加速国产替代、实现自主可控具有深远意义。项目建成后，公司将打破高端阻焊干膜光刻胶的国外垄断局面，公司的产品矩阵亦将得以进一步拓展，有利于持续提高公司产品竞争力，推动公司长远高质量发展。

（2）半导体下游扩产和制程升级驱动半导体光刻胶市场成长，募投项目有望填补客户对高端光刻胶的需求

在下游扩产需求旺盛、大硅片和制程升级的背景下，半导体光刻胶市场规模逐渐增加。受益于 5G、物联网、新能源汽车、人工智能等新兴领域的高速成长，半导体材料市场同步保持高速增长。

根据 SEMI 数据，2022 年全球晶圆制造材料市场达 447 亿美元，同比增长 10.5%。同时，随着大硅片、制程升级的趋势呈现，单位面积晶圆所需光刻胶价值量提升。根据 SEMI、WSTS 和海通国际的数据，2022 年全球半导体光刻胶市场规模约 26.4 亿美元，预计 2030 年将增长至 45 亿美元，年均复合增长率为 6.9%。

中国半导体光刻胶的市场规模将快速增长。伴随着第三次半导体产业转移，晶圆产能向大陆转移，我国大陆地区在全球半导体材料市场占比同步提升，预计未来国内半导体光刻胶市场将保持高于全球市场的增速持续成长。

根据TrendBank 的预测，中国半导体光刻胶市场规模预计将由 2023 年的 34 亿元增长至2026 年的 48 亿元，年均复合增长率约为 12%。

在上述背景下，公司将围绕“248nm 光刻胶关键原材料测试评估”、“248nm厚膜正胶产品开发”、“248nm 负性 lift-off 光刻胶产品开发”、“248nm 高分辨正胶产品开发”、“248nm 光刻胶光刻工艺开发”等课题进行研究，提升自身在 KrF半导体光刻胶的研发能力，在日趋激烈的市场竞争中保持技术先发优势，填补下游客户对国产高端半导体光刻胶的需求，实现自身可持续发展。

（3）光刻胶是半导体制造关键材料，国产替代、自主可控需求迫切

光刻胶是半导体制造关键材料。光刻是精细线路图形加工中最重要的工艺，通常半导体芯片在制造过程中需要进行数十道光刻过程，光刻胶是光刻工艺中最重要的耗材，其质量和性能与电子器件良品率、器件性能以及器件可靠性直接相关。

目前，全球半导体光刻胶市场由日美韩厂商主导。2021 年，东京应化、JSR、住友化学、富士胶片等四家日本企业分别约占 27%、13%、12%、8%的市场份额，美国杜邦、韩国东进分别约占 17%、11%的市场份额，以上六家企业合计约占 88%的市场份额。

光刻胶是半导体制造的关键材料，其自主可控的国产化替代需求迫切。为推动光刻胶等半导体材料行业的发展，国家、地方层面先后出台相关政策，2023 年3 月，发改委等五部门联合印发《国家发展改革委等部门关于做好 2023 年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知》，包括光刻胶在内的集成电路产业关键原材料、零配件企业被纳入享受税收优惠政策的清单。

公司本次半导体光刻胶研发能力提升项目响应国家支持半导体产业发展政策，有助于填补国内相关供应链的空白，加速国产化替代进程。

（4）公司具有半导体光刻胶研发基础，升级设备可大幅提升产品研发效率

公司经过多年的自主研发和实践积累，是国内为数不多掌握光刻胶树脂合成、光敏剂合成、配方设计及制造工艺控制等制造半导体光刻胶核心技术的企业。光刻胶由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等不同性质的原料，是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品。随着公司产品应用领域不断拓展，公司的研发项目随之增加。目前，公司现有实验设备、检测设备已逐渐无法满足高端半导体光刻胶的研发创新需求。

为不断增强自身创新性研发能力，公司拟通过本项目购置业内先进的专业化实验设备，其中 248nm 扫描式光刻机可用于高端 DUA 光刻胶产品研发和量产检测；涂胶显影一体机可以用于 g 线和 i 线产品的研发，还可以用于 248nm 光刻胶产品的研发。

通过升级研发设备，公司可以加快项目进度和产品验证，缩短产品研发周期，为产品国产化替代创造有利条件。此报告为公开摘录部分，如需定制化政府立项、银行贷款、投资决策等用途可研报告可咨询思瀚。

3、项目实施的可行性

（1）现有客户存在高端光刻胶产品需求，为募投项目的有序开展和产能消化提供保障

公司凭借客户提供优质产品及优质服务作为根本立足点，在行业内树立了良好的口碑，已与国内知名客户建立稳健的合作关系。IC 载板用阻焊产品方面，公司目前已实现 IC 载板用液态阻焊油墨产品的技术攻关，目前处于市场推广阶段，其在封装基板关注的 SRO 能力、undercut、BHAST 耐性等性能方面具有一定优势。而本募投项目将在液态阻焊油墨产品的技术基础上，进行液态阻焊油墨干膜化的技术研发及工艺探索。

此外，半导体光刻胶方面，公司与华微电子（股票代码：600360）、士兰微（股票代码：600460）、扬杰科技（股票代码：300373）等半导体领域知名公司均与公司合作多年，为其提供 i 线光刻胶、g 线光刻胶等产品，且上述客户具备KrF 光刻胶的需求。

在上述优质客户及下游需求迫切的背景下，公司积极投入资源进行相关产品的研发，通过与各下游行业领先企业的深度合作进行产品布局、积累成熟解决方案，以此形成持续的良性循环，将为阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶研发的有序开展及其研究成果的产能消化提供有效保障。

（2）公司具有相关产品的研发经验和专业研发管理团队，为项目顺利实施奠定基础

公司具有相关产品的研发经验。经过多年的自主研发和实践积累，公司掌握了树脂合成、光敏剂合成、配方设计及制造工艺控制等电子感光化学品核心技术。同时，在多年持续研发、工艺持续迭代和应用持续创新的背景下，公司已取得发明专利逾 40 项。

公司可将丰富的技术储备广泛应用于阻焊干膜光刻胶和半导体光刻胶课题的研究，保障本项目的顺利实施。同时，公司具备专业的研发及管理团队。公司核心研发管理团队从事感光电子化学品领域产业研发工作多年，为项目实施提供重要基础。

4、项目投资概算

本项目总投资 10,179.75 万元，其中建设投资（不含预备费）9,695.00 万元，预备费 484.75 万元。

5、项目经济效益分析

本项目为研发能力提升项目，不直接产生经济效益。项目建成后，将显著提升公司 IC 载板阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶业务的技术水平和研发能力。

6、项目报批事项及土地情况

本项目拟建设地点位于珠海市南水镇平湾四路东北侧。本项目已在广东省投资项目在线审批监管平台完成备案登记，备案项目代码为 2310-440404-04-01-861680。

截至本报告公告日，本项目的环评手续正在办理过程中。