砷化镓半导体材料项目可行性研究报告-辽宁省朝阳喀左经济开发区
思瀚产业研究院 通美晶体    2025-04-03

1、项目基本情况

本项目总投资额为 112,053.63 万元。本项目产品主要为 2、3、4、5、6、8 英寸砷化镓衬底，本项目将建设形成年产50 万片 8 英寸砷化镓衬底及年产 400 万片砷化镓衬底（折合 2 英寸）的生产能力。本项目产品下游主要用途为：射频器件（如移动通讯（手机）功率放大器、高性能晶体管以及卫星通讯器件等）、LED（Mini LED、Micro LED）、激光器（大功率泵浦，垂直腔表面发射激光器）等器件。

公司长期从事砷化镓衬底生产销售，形成了深厚的工艺、技术积累，拥有了丰富的客户资源，公司砷化镓衬底市场销售状况良好，预计未来市场需求将持续增长。

2、项目实施的必要性

（1）满足日益增长的市场需求，推动终端应用领域高质量发展

砷化镓是 III-V 族半导体材料，具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率、抗辐射、击穿电压高等性能特征，砷化镓衬底主要应用下游器件包括射频器件、激光器件、LED，应用领域包括 5G 通信、新一代显示（Mini LED、Micro LED）、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等领域。公司的砷化镓衬底产品包括 1、2、3、4、5、6、8 英寸产品序列，产品规格齐全。

公司的砷化镓衬底产品凭借优异的性能和技术先进性获得了客户和市场的高度认可，在行业市场竞争中处于优势地位。本项目侧重于砷化镓衬底，将通过建设厂房和配套设施，引入性能先进的生产加工设备，进一步实现 2、3、4、5、6、8 英寸砷化镓衬底的规模化量产。

项目实施内容与公司的现有主营业务高度关联，将助力优势业务领域的纵深发展，有助于公司稳固发展根基，提升收入规模和盈利水平，深化与上下游企业的合作关系，进一步提高砷化镓衬底的市场占有率，持续巩固和强化市场竞争优势。

（2）顺应砷化镓半导体材料技术发展方向，构筑先发市场优势

半导体产业具有显著的技术驱动和应用驱动特征，半导体制造、封测企业的技术突破和终端应用领域的快速发展，对上游砷化镓衬底等关键半导体材料的性能提出了更高要求，大尺寸、高几何精度、高电阻率均匀性、低表面颗粒度等性能成为砷化镓衬底材料重要的技术发展方向。

截至目前，全球范围内 6 英寸及以下尺寸的砷化镓衬底已实现规模化量产，而 8 英寸砷化镓衬底已成为市场关注的焦点。下游 5G 射频器件、Mini LED 器件、Micro LED 器件、车载激光雷达等领域客户的新建产线很可能切换至 8 英寸，公司的 8 英寸砷化镓衬底具备广阔的市场空间。

公司高度关注行业技术发展动态，注重自身技术和产品的迭代升级，在 8 英寸砷化镓衬底的研发与产业化应用方面处于行业前列，并与现有和潜在终端客户保持沟通，及时了解市场需求变化。

目前，公司的 8 英寸砷化镓衬底正处于客户认证阶段，公司已陆续取得了部分客户的认证，未来将实现规模化销售。本项目将建设形成年产 50万片 8 英寸砷化镓衬底的生产能力，构筑先发优势，抢占市场份额，在未来的市场竞争中掌握主动权。

3、项目实施的可行性

（1）产业政策大力支持

近年来，为推动半导体产业及上游半导体材料行业发展，增强创新能力和国际竞争力，摆脱对核心技术及产品的进口依赖并实现产业链的自主可控，进一步促进国民经济持续、快速、健康发展，中国政府及行业主管部门相继出台一系列产业扶持政策。

2014 年 6 月，国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，提出加快推进集成电路产业发展，突破集成电路关键装备和材料，加强集成电路制造企业和装备、材料企业的协作，加快产业化进程，增强产业配套能力。

2018 年 11 月，国家统计局颁布《战略性新兴产业分类（2018）》，将磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底等化合物半导体材料列入战略性新兴产业重点产品名录。

2020 年 7 月，国务院发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，提出面向财税、投融资、研究开发、人才、进出口、知识产权、市场应用、国际合作共八个政策方向，制定扶持政策，进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量。产业政策的大力支持，为本项目实施和公司的持续发展提供坚实的政策保障。

（2）砷化镓衬底下游行业市场前景广阔

砷化镓衬底的主要应用下游器件包括射频器件、激光器件、LED，主要涉及 5G通信、新一代显示（MiniLED、MicroLED）、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等多个领域。下游领域的快速发展将带动上游材料的市场需求持续释放。

根据Yole发布的数据，2025年全球砷化镓衬底的市场规模有望达到3.48亿美元，2019 年至 2025 年的复合增长率约为 9.67%。其中，射频器件砷化镓衬底的市场规模最大，2025 年有望达到 9,800 万美元；LED 器件砷化镓衬底 2025 年有望达到 9,600万美元。未来，受益于 5G 通信的商业化应用进程落地、Mini LED 及 Micro LED 显示技术加速发展与应用等有利因素，砷化镓衬底市场前景广阔。

（3）公司具备良好的技术储备

公司高度重视化合物半导体材料领域的前瞻性技术研发，通过持续的研发资源投入，积极推动新技术、新工艺的开发与现有技术工艺的改进，满足不断变化的下游需求，逐步形成深厚的核心技术储备，技术水平在行业中处于领先。

公司在世界范围内率先采用 VGF 法实现磷化铟和砷化镓等半导体化合物衬底的商业化规模生产，技术特点主要体现在单晶炉制造成本低，炉体轴向温度梯度易于精确控制，生长形成的单晶具有内应力低、完整性好、机械强度高和位错缺陷密度低等性能优势，公司对于 VGF 法的应用水平处于行业领先地位。

除晶体生长外，砷化镓衬底产品的生产流程还涉及到晶体切割、边缘倒角、表面研磨、抛光处理、洁净处理和包装等多项工序，公司针对上述环节已掌握砷化镓衬底多线切割技术、砷化镓衬底倒角技术、多晶片退火处理技术、砷化镓衬底精密研磨技术、砷化镓衬底精密化学机械粗抛（及精抛）技术、砷化镓衬底超洁净清洗技术等业内领先的核心技术和生产工艺，成熟运用于产品的批量生产。项目产品与公司现有产品的生产加工技术工艺具有较强的通用性和一致性，公司深厚的技术储备将为项目顺利实施提供技术保障。

4、项目建设内容及投资概算

本项目预计建设期为 3 年，项目总投资 112,053.63 万元，其中建设投资费用104,943.25 万元，铺底流动资金 7,110.38 万元。

5、备案程序的履行情况

2021 年 11 月 4 日，本次项目“砷化镓半导体材料项目”中的“砷化镓（晶体）半导体材料项目”取得朝阳喀左经济开发区管理委员会出具的《关于<朝阳通美晶体晶体科技有限公司砷化镓（晶体）半导体材料项目>项目备案证明》（朝喀开审发改备[2021]22 号），项目总投资为 36,688.73 万元。

2021 年 11 月 26 日，本次项目“砷化镓半导体材料项目”中的“砷化镓（晶片）半导体材料项目”取得朝阳喀左经济开发区管理委员会出具的《关于<朝阳通美晶体晶体科技有限公司砷化镓（晶片）半导体材料项目>项目备案证明》（朝喀开审发改备[2021]23 号），项目总投资为 75,364.89 万元。

6、项目环境保护情况

公司正在办理本次投资建设项目环评手续。朝阳喀左经济开发区管理委员会于 2021 年 12 月 14 日出具《关于朝阳通美晶体科技有限公司项目环保事项的说明函》，确认朝阳通美晶体科技有限公司的砷化镓半导体材料项目（包括砷化镓（晶片）半导体材料项目和砷化镓（晶体）半导体材料项目）符合国家环保政策的有关要求。该公司正在依据相关规定申请办理上述项目建设所需的环境保护相关手续，预计该等手续的办理不存在实质性障碍。

7、项目与公司现有主要业务、核心技术之间的关系

项目产品 2、3、4、6 英寸砷化镓衬底为公司当前主导产品，8 英寸砷化镓衬底目前已实现小批量生产，本项目与公司现有的主要业务有极高的关联度，主要体现在以下两个方面：从现有主要业务角度分析，项目产品生产工艺流程与现有产品相同与公司现有主营业务一致，上游厂家能提供稳定的供给，下游行业能提供广阔的市场需求。从核心技术角度分析，公司在多年的生产经营中积累了丰富的生产技术和经验。项目产品与现有主营业务产品的技术关联度高。

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