1、项目基本情况
本项目拟建设标准半导体洁净厂房,引入卧式扩散炉、立式氧化炉、离子注入机等硬件设备,对近红外 APD 光电探测器进行产业化。APD 光电探测器是一种高灵敏度的光电探测器,通过利用半导体材料内的雪崩效应来放大光电流,从而提高探测灵敏度,具备高灵敏度、低噪声、快速响应、高量子效率等显著优势,可广泛应用于激光制导、激光通信、激光雷达等领域。
本项目建设完成后,国科天成科技股份有限公司预计新增 4mm 四象限 APD 探测器 8,000 个/年,10mm 四象限 APD 探测器 4,000 个/年的生产能力。项目总投资17,517.75万元。
2、项目建设的必要性
(1)本项目定位于近红外产品,有利于公司实现全光段覆盖
公司主要从事红外光电领域的研发、生产、销售和服务业务,红外产品主要包括机芯、整机产品和探测器、镜头等零部件。公司目前在中波红外、长波红外领域已有包括锑化铟系列制冷红外产品、T2SL 系列制冷红外产品、非制冷红外系列产品等较为完善的产品布局,但在近红外波段的产品布局相对薄弱。
本项目产品为近红外 APD 光电探测器,将进一步补全公司光电产品的波长覆盖范围,完善公司的光电产品条线,满足下游客户的多元化场景和应用需求。
(2)跟踪并布局行业前沿技术,强化公司技术先发优势
APD 探测器是一种高灵敏度的光电探测器,通过利用半导体材料内的雪崩效应来放大光电流,从而提高探测灵敏度,具备高灵敏度、低噪声、快速响应、高量子效率和多样的工作模式等显著优势。随着激光制导、自动驾驶、高灵敏度传感等领域的发展,对微光和单光子检测的需求急剧上升,对 APD 的性能要求越来越高。而硅基 APD 探测器具有其他材料没有的优越性,例如低成本、高稳定性、能在常温下工作且增益很高等。
本项目通过布局 APD 光电探测器的产线建设,将抓住行业前沿技术发展方向,进一步强化公司的技术先发优势,巩固公司的市场地位。
3、项目建设的可行性
(1)公司丰富的人才是项目实施的基础
公司在红外光电领域积累了深厚的人才基础,国内 APD 探测器相关的人才团队大多具备光电专业背景,但缺乏半导体人才,本项目核心团队弥补了这一缺陷,拥有半导体专业背景,深耕光电探测器领域多年,并长期跟踪 APD 光电探测器的行业进展,专业能力卓越。
相关具有复合和协同的技术背景的人才团队,使得公司的相关产品具备良好的产业化能力,并且得以始终跟踪相关技术前沿。
(2)公司具备实施该项目的技术储备
经过多年积累,本项目攻克了高能量离子注入损失修复与高绝缘像素隔离等技术难点,解决了高能量离子注入带来的材料损伤难以修复所引起的高暗电流以及由像素间未完全电学隔离所带来的信号串扰等问题,且本项目提出的新结构可以制备大面积、多像素器件。
丰富的技术储备为本项目的实施提供了坚实的技术基础,有助于近红外 APD 光电探测器产线的顺利建成运行,以及后续相关产品的先进性。
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