东台经济开发区-半导体封装高端引线框架项目可行性研究报告
思瀚产业研究院    2025-12-06

2、实施地点：东台经济开发区东渣路东侧、东区四路北侧

3、建设内容与规模：本项目拟租用鸿日达全资子公司东台润田 6,308 平方米现有厂房作为生产基地，同时购置先进的进口与国产设备，生产半导体封装用高端蚀刻引线框架；项目建成后，将形成年产 1,400 万条半导体封装高端蚀刻引线框架的生产能力，产品具有导电及导热率高、耐腐蚀性能好等特点。

4、建设周期：项目计划建设周期为 3 年。

5、投资构成：

建设投资 9,507.51 80.98% ；工程建设其他费用 100.52 万元；预备费 231.89万元； 流动资金 2,232.97万元；合计 11,740.48 万元。

6、经济效益分析

根据可行性研究报告，项目投资财务内部收益率（税后）为 16.91%，项目投资回收期（税后）为 5.94 年（含建设期），项目具有经济效益和盈利能力。该经济效益分析为公司结合目前市场现状和未来发展预期而作出的测算，不构成对公司未来业绩的承诺。

7、可行性分析

半导体封装高端引线框架是封装环节的核心部件，承担芯片与外部电路的电连接、散热疏导及机械防护功能，是保障集成电路性能的“关键桥梁”，更是推动先进封装技术创新突破、保障集成电路性能稳定的重要引擎。

近年来，AI、智能网联汽车、5G、云计算、物联网等新兴市场加速渗透，带动下游芯片向“高集成、高可靠、耐候性”需求升级，进而推动全球先进封装产业增长，高端引线框架需求爆发。对此，国家高度重视半导体产业链自主可控，将封装及核心部件国产化纳入战略，出台《“十四五”数字经济发展规划》等政策，明确支持高端引线框架发展；

地方政府配套产业基金、研发补贴、税收优惠、用地倾斜等措施，从多维度为项目技术攻关、产能建设提供支撑，奠定项目实施基础。同时，鸿日达以及控股子公司鸿科半导体在半导体封装高端引线框架领域已积累了一定的技术储备及客户资源，为本项目的顺利开展奠定了坚实的基础。

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