功率半导体研发工程中心升级项目可行性分析报告
思瀚产业研究院 锴威特    2023-08-14

1、项目基本情况

项目将依托公司在功率器件、功率 IC、IPM 及光继电器（Photo MOS）产品研发方面的经验积累，对功率半导体研发工程中心进行升级，具体包括如下方面：对功率半导体器件和模块封装可靠性、SiC 高温封装应用、基于 SiCMOSFET 制作光继电器（Photo MOS）以及数字电源进行持续深入研究；升级建设可靠性实验室和测试应用中心。

通过实施该项目，公司将打造功率半导体器件测试及可靠性考核平台，通过增加相关的检测分析设备投入，持续优化实验环境，提升测试与可靠性分析的能力和效率，进一步保障产品质量、吸引高端人才，实现技术的升级和专业人才的培养，从而促进公司主营业务高质量发展。

2、项目投资概算

项目总投资 16,807.16 万元，其中，办公场地购置费用（含装修费用）3,600.09 万元，占比 21.42%；软硬件购置费用 9,881.00 万元，占比 58.79%；设备安装调试费 148.22 万元，占比 0.88%；研发人员薪酬及福利费用 2,937.85 万元，占比 17.48%；专利维护、检索费用 30.00 万元，占比 0.18%；数据库维护费用 150.00 万元，占比 0.89%；研发系统及维护费用 60.00 万元，占比 0.36%。

3、项目周期和时间进度

本项目建设时间为 36 个月。本项目实施主要分为方案设计，可行性研究，办公场地购置及装修，设备采购、安装及调试，人员招聘、培训和项目研发、可靠性及测试应用分析等阶段。

4、备案程序的履行情况

本项目建设已于 2022 年 1 月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》（项目代码：2201-320582-89-01-927792）。

5、项目实施地点与环境保护事项

本项目拟在公司现有办公场地附近购置房产进行项目的建设、实施，不涉及土建工程。截至本招股说明书签署日，公司已通过购买方式取得了位于张家港杨舍镇华昌路 10 号沙洲湖科创园 B2幢 01室的房产，证书编号为苏（2022）张家港市不动产权第 8224823 号。

本项目产品生产环节委托晶圆代工厂和封测厂进行加工，项目运营过程主要是对产品进行设计、开发和测试，因此项目运营过程中公司不产生废气、废水、废渣等工业污染物，不会对环境产生污染。

6、项目可行性及与公司现有主要业务、核心技术之间的关系

功率半导体研发工程中心升级项目将对功率器件和模块封装可靠性、SiC高温封装、应用、基于 SiC MOSFET 制作光继电器（Photo MOS）以及数字电源进行持续深入研究。公司拥有相应的可靠性考核设备和可靠性研究团队，拥有完整的 MOSFET 的技术平台，可为光继电器匹配适合 SiC MOS，拥有光电发生器的研究基础。

该项目基于公司现有技术进行了前瞻性布局，有利于提升公司的技术创新能力，进一步丰富技术储备。项目的实施一方面可以推动公司现有产品的优化升级，提升公司产品附加值；另一方面可以推动研发成果的成功转化，有助于丰富公司的产品种类，开拓新的产品应用领域，增强公司的盈利能力。

此外，在器件可靠性考核与测试应用能力方面，随着可靠性实验室及测试应用中心的建设，公司通过购置先进的测试设备，有利于完备公司可靠性考核能力，有助于提高产品良率，提升出厂产品的质量，更好的满足和服务于工业级及高可靠领域客户对产品品质的需求，同时，也使得公司具备完善的测试评价平台，并能够有效制作产品应用方案，指导客户更好的使用公司产品，从而有利于产品的市场推广。

可行性研究报告依据国家部门及地方政府相关法律、法规、标准，本着客观、求实、科学、公正的原则，在现有能够掌握的资料和数据的基础上，主要就项目建设背景、需求分析及必要性、可行性、建设规模及内容、建设条件及方案、项目投资及资金来源、社会效益、经济效益以及项目建设的环境保护等方面逐一进行研究论证，以确定项目经济上的合理性、技术上的可行性，为项目投资主体和主管部门提供决策参考。