公司建立了完善独立的技术研发体系。公司设有技术研发中心,分为硅基薄膜无源集成元器件、微波薄膜集成器件、介质陶瓷材料与元器件、工艺集成四个科室,根据产品开展相关领域的技术工艺研发。
同时,为提升技术前瞻性、指导性,公司成立技术委员会,聘请行业内知名专家作为技术专家,定期召开技术交流及探讨会,指导公司不断提升研发水平。公司每年根据产品发展规划和市场动态开展科研立项。科研项目主要集中在微波无源元器件领域的新产品、新技术和新工艺的研究开发。
公司核心产品的主要对标公司均为国外厂商,因此公司的研发项目立足于国内外前沿技术水平,研究方向均为国内外前沿技术和新兴产品。由于研发新材料、新产品在前期探索阶段所需要的设备、人才、实验室环境等条件要求较高,公司多年来与电子科技大学、中山大学、华南理工大学、中国科学院上海硅酸盐研究所、广东省半导体研究院等国内高校和研究所合作开展了多个项目的研究,建立了完善的产学研合作机制,充分借助高校强大的科研力量和先进试验设备,为公司技术创新提供人才和技术后盾。
1、项目概况
本项目拟购置先进研发设备、检测设备,升级现有研发设备的智能化和数字化水平,优化研发流程的管理能力,进行新产品和新技术的研发及测试,促进新技术和新产品等研发成果的转化,从而提高公司的核心竞争力。项目总投资为6,584.69 万元。
2、项目实施的必要性
(1)项目实施有助于提高技术研发能力和核心竞争力
随着我国微波无源元器件及薄膜集成产品领域的高速发展,生产工艺与技术的更新换代速度也逐步加快,公司需要不断提高研发能力,以技术引导市场需求,从而在市场竞争中保持前列。
项目通过扩建技术研发中心,整合现有资源,继续提高公司产品在性能、高频化、稳定性方面的技术水平,在产品研发和生产工艺优化方面进一步强化公司现有的竞争优势。同时,公司将加大对研发工作所需的软硬件设备投入及团队人员投入,为公司技术研发提供良好的技术研发环境和力量,优化技术研发条件,进一步提升公司的技术研发能力,为公司的快速发展提供坚实基础。
(2)本项目的建设有利于公司把握市场发展趋势,取得市场先发优势
公司在微波芯片电容器、薄膜电路等产品以及介质材料制备、金锡预成型焊盘等技术方面积累了丰富的经验基础上,结合市场发展趋势及用户需求,在新型电容器微波硅基芯片电容器及薄膜无源集成器件等方面开展了前沿性研究。
本项目的实施将进一步提升公司关键技术研发能力,并通过研发前沿新技术和新产品不断提高公司产品的技术含量,拓展产品种类,完善产品布局,把握市场发展趋势。
3、项目实施的可行性
(1)公司技术研发能力为项目提供重要的技术保障
公司高度重视产品研发,已形成了 15 项核心技术,获得授权的专利 44 项,并在生产过程中实现大规模应用。核心产品的主要指标可以达到国外知名厂商的水平。这些核心技术为公司后续新产品的设计提供良好的技术储备,将为产品研发的首样制作、小批量试产和产业化提供充足的技术支持。
(2)公司完善的研发体系为本项目的实施提供保障
公司遵循用户需求导向、市场导向的原则,制定了与研发有关的制度,对研发立项、研发过程、研发结项、结果跟踪、知识产权保护进行全面管理。
公司技术研发中心根据市场、客户需求及自身研发规划形成研发需求,通过可行性分析、内部立项评审等程序后展开研发。公司建立了完善的研发体系,实现了研发的有序推进。
(3)公司研发技术人才储备为本项目实施提供人才基础
公司重视研发技术人才队伍建设,建立了专业的技术研发团队,汇集了电子、材料、化学等不同领域的专业人才,还聘请教授级专家设立技术委员会。通过多年的优化磨合和经验积累,公司已逐步建成一个初具规模的综合产品开发技术平台。公司建立健全了人才良性竞争机制、公正合理的人才使用和激励制度,提升了人力资源的使用效率,确保公司发展所需的各类人才能够各尽其用、各显其能,为本项目实施提供人才保障。
4、项目投资概算
本项目投资总额为 6,584.69 万元,建设期为 3 年。
5、时间周期和进度安排
本项目预计建设期为 36 个月,项目实施进度划分为以下几个阶段:可行性研究、初步设计、场地建设及装修、设备采购及安装、人员招聘及培训、试运营。项目的装修施工与设备安装必须按照国家的专业技术规范和标准执行。
6、项目选址及用地情况
本项目拟在广州市南沙区租用新的生产厂房,已与签订了租赁协议,厂房地址为南沙区昌利路七街 1 号、3 号,建筑面积合计 2,030.00 平方米,租赁期限至2031 年 8 月 31 日。本项目不涉及新增土地及相关审批事项。
7、环境影响评价
本项目建设中,将采用综合、有效、合理的治理措施,使之达到国家有关标准,不会对周边环境产生不利影响。该项目已取得广州南沙经济技术开发区行政审批局出具的环境影响报告表的批复。