SiC材料研发制造总部项目可行性研究报告
思瀚产业研究院 志橙股份    2024-02-20

（一）项目必要性

1、行业发展迅速，CVD 碳化硅市场前景广阔

近年来，由于全球第三代半导体、集成电路等半导体行业保持强劲增长，碳化硅外延片、硅外延片及下游芯片、器件出货量持续创新高，外延设备的需求量及开机率持续增长，因此设备用零部件市场不断扩大。半导体设备用碳化硅零部件作为关键精密零部件，处于反应腔内，部分直接与晶圆接触，工艺难度高，对于晶圆制造、芯片制造环节至关重要。

半导体材料和零部件行业作为半导体产业链的基石和上游核心环节，战略意义显著。根据 QY Research 数据统计及预测，2022 年全球 CVD 碳化硅零部件市场规模达到 8.13 亿美元，预计 2028 年将达到14.32 亿美元，年复合增长率（CAGR）为 9.89%。

中国作为全球最大的半导体产品消费市场，近年来各类半导体产品需求大幅增加，需求引导半导体产业逐步往中国转移，目前，中国市场已成为带动全球半导体市场增长的主要动力之一。

根据 QY Research 数据统计及预测，2022 年中国CVD 碳化硅零部件市场规模达到 2.00 亿美元，预计 2028 年将达到 4.26 亿美元，年复合增长率（CAGR）为 13.44%。我国 CVD 碳化硅零部件市场前景广阔，拥有巨大的发掘空间。

2、下游客户对产业链自主可控的需求增加，公司生产扩张顺应行业发展

为应对国际贸易摩擦、地缘政治矛盾加剧相关风险，从产业链自主可控角度，公司下游客户积极拓展关键零部件的国内供应商，驱动公司业务发展。为满足客户持续增长的采购需求和对更高产品性能的追求，公司拟通过本次项目的实施，实现产能及产量提升，缩短供货周期，降低生产成本，并加大核心技术研发创新能力，实现产品升级迭代，类别扩增。

3、丰富和优化公司产品种类，发展公司新的利润增长点

除了 SiC 外延设备、MOCVD 设备、Si 外延设备用碳化硅涂层石墨零部件产品，公司近年来积极拓展新的产品品类，包括聚焦环、气体喷淋头等实体碳化硅零部件，炉管等烧结碳化硅零部件等产品，新产品下游市场广阔。

随着国家支持、鼓励半导体设备零部件相关政策持续出台，及公司下游客户对于产品性能水平、产品种类等方面的要求持续提升，为保持公司在半导体设备用碳化硅零部件行业的技术领先性和市场竞争力，公司将进一步拓宽产品线，优化产品结构，丰富客户群体，开拓新市场，形成公司新的利润增长点。

（二）项目可行性

1、国家产业政策支持半导体设备零部件行业高质量、高速发展

公司产品属于半导体设备零部件行业，设备制造的下游产品主要为功率器件、LED 芯片、集成电路等产品，面向新能源汽车、LED、消费电子、光伏等终端市场，属于国家产业政策支持发展的重点领域。为推动半导体产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，近年来我国推出了一系列相关政策。

2020 年 7 月，国务院出台《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，从多个方面推动集成电路发展，优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作；2021 年 12 月，国务院出台《“十四五”数字经济发展规划》，重点布局下一代移动通信技术、电子信息、第三代半导体等新兴技术；

2022 年 9 月，工业和信息化部等部门联合出台《原材料工业“三品”实施方案》，提出到 2025年我国高温合金、高性能特种合金、半导体材料、高性能纤维及复合材料等产品和服务对重点领域支撑能力显著增强，到 2035 年原材料品种供给能力和水平、服务质量大幅提升，达到世界先进国家水平。

公司所在领域行业前景良好，近年来公司主营业务收入随着下游行业市场需求的推动快速增长，随着公司资金到位，产能及研发实力持续提升，预计公司产品需求量将保持持续增长态势，市场竞争力将持续提升。

2、公司具备领先的技术优势

公司长期致力于半导体设备用 CVD 碳化硅涂层技术的创新研发，与国内半导体产业链龙头企业积极开展技术合作。目前，公司已成为半导体设备用碳化硅零部件领域的国内领先企业，2022 年市场份额在中国市场排名第三，在全球市场排名第八，在中国企业中均排名第一，为国内半导体设备厂商、外延片厂商、晶圆厂商持续稳定供应设备用零部件。

公司自主研发 CVD 碳化硅沉积炉等核心生产设备、产品工艺配方等核心技术，攻克工艺、技术难点百余个，成功掌握 CVD 法制备碳化硅工艺，并实现规模量产。应用该工艺的主要产品碳化硅涂层石墨基座产品的关键技术指标达到国内领先、国际主流水平，加速推进了行业国产化进程。卓越的研发能力和领先的技术储备为公司项目实施奠定了基础，并将持续驱动公司未来业务增长。

3、公司拥有优质的客户资源基础

公司主要产品已获得百余家半导体企业批量验证，与国内半导体设备、外延片、晶圆厂等领域龙头厂商建立了稳定的合作关系，拥有领先的市场地位和丰富的客户储备。

公司已建立较为完备的半导体设备碳化硅零部件全产业链条生产体系，可以有效地保证国内下游客户的供应链自主可控。同时，公司具备本土化优势，贴近市场，更加了解国内用户需求，日常服务响应速度、服务能力等方面较国际同业更具优势。

公司凭借领先的技术水平、优秀的产品性能和优质的服务赢得了客户的广泛信任，与下游领先企业建立了长期稳定且深入的业务合作关系，具有丰富优质的客户资源。

4、公司拥有生产研发相关人才储备

公司重视科技创新的发展，不断引进行业内优秀人才，形成了以业内资深专家领衔的高级管理人员、核心技术人员团队，团队成员包括半导体领域、碳化硅材料、石墨材料领域专家，负责公司成熟产品产业化生产、新产品研发及成熟产品的持续改进等。

报告期内，随着业务规模大幅提升，公司同步扩增团队，加强对生产、研发人员的招聘及培训。报告期末，公司生产人员数量为 211 人，占比 63.17%，研发人员数量为 58 人，占比 17.37%。公司重视研发队伍的建设及培养，建立了较为完善的人才培养体系。

（三）SiC 材料研发制造总部项目

1、项目建设概况

本项目实施主体为广州志橙，建设地点为广州市黄埔区永和街道永新街 23号。建设规模主要包括生产车间 1 栋、研发办公楼 1 栋、动力站 1 栋、甲类库 1栋。本项目建设完成后，主要从事半导体设备用碳化硅零部件的生产和研发，包括碳化硅涂层石墨零部件和实体碳化硅零部件等产品。

2、项目投资概算

本项目建设拟投资 64,689.30 万元，其中拟使用募集资金 31,489.30 万元，主要用于设备购置和安装及相关流动资金。

3、项目时间周期和时间进度

本项目建设期为 5 年，已于 2021 年开工，目前主体建筑物已完工，首批产线已于 2023 年投产。

4、立项备案程序

本项目建设内容已于 2021 年 4 月 6 日取得广州开发区行政审批局出具的国家代码为 2104-440112-04-01-310128 的《广东省企业投资项目备案证》，已完成项目涉及的发改委备案程序。

根据实际投入情况，本项目整体建设规模有一定扩增，公司对之前备案文件进行了变更报批，并于 2023 年 2 月取得了更新后的《广东省企业投资项目备案证》。

5、环保情况

2022 年 7 月 14 日，广州开发区行政审批局出具了《关于志橙半导体 SiC 材料研发制造总部项目环境影响报告书的批复》（穗开审批环评〔2022〕143 号），批准了该项目环境影响报告书，同意该项目建设。

本项目建成后生产及研发过程中可能会产生一定数量的废气、固体废物、生产废水及噪声等，但不属于重污染行业。项目实施过程中公司将采取严格的污染物防治和处理措施，使运行产生的各种污染物及动力设备运行产生的噪声均可得到有效治理，主要污染物均可达到排放标准，满足国家环保部门下达的总量控制指标要求。

6、土地使用权情况

本项目已由项目实施主体广州志橙通过挂牌出让的形式取得本项目用地，土地证号为“粤（2021）广州市不动产权第 06072473 号”，土地性质为工业用地，土地面积为 15,275.598 平方米。

（四）SiC 材料研发项目

1、项目建设概况

为提升公司自主研发能力，巩固公司在现有产品领域核心竞争力，提升产品丰富度，公司拟继续开展半导体设备用碳化硅零部件的研发工作。本项目主要实施主体为广州志橙，主要实施地点为广州市黄埔区永和街道永新街 23 号。具体拟开展以下方向研发工作：

（1）碳化硅涂层石墨零部件研发和技术改进项目

报告期内，公司主要产品为碳化硅涂层石墨零部件产品，具体可用于 SiC 外延设备、MOCVD 设备、Si 外延设备等各类设备。随着下游客户对于公司产品性能、寿命、质量等要求持续提升，为保证公司产品的市场竞争力，满足客户新设备、新工艺、新产品等具体需求，公司需要对成熟产品持续研究、改进，提升客户服务能力。

本项目具体研发内容包括用于生产的 CVD 碳化硅沉积炉及其集群数据采集系统、架构及工艺配方软件的开发，核心原材料的超高纯度纯化工艺的研发等。

（2）实体碳化硅产品及技术研发项目

实体碳化硅材料因具备优异的耐高温特性、导热率和耐等离子刻蚀性能，成为刻蚀、热处理、薄膜沉积等集成电路制造设备应用的理想材料。以聚焦环为例，作为刻蚀设备的零部件，主要目的是提供均匀的等离子体气体，用于确保刻蚀的一致性和准确性，因其与晶圆直接接触，腐蚀速率较快，需要较强的耐腐蚀性、稳定性。

本项目在公司多年积累的 CVD 碳化硅技术基础上，围绕等离子刻蚀等集成电路制造设备所用到的碳化硅零部件，重点研发聚焦环、顶盖、陪片、喷淋头等产品。

本项目研究内容包括提升实体碳化硅产品性能，以达到国际先进水平，并开发更多设备厂商及晶圆厂客户，完善国内供应链，为公司带来新的利润增长点。

（3）烧结碳化硅产品及技术研发项目

碳化硅炉管、晶舟等高纯烧结碳化硅零部件是立式热处理装备反应腔室零部件，目前国产化率较低。

本项目拟研发使用碳化硅原料粉体纯化技术、超声波清洗技术、超薄管壁凝胶成型技术及 CVD 涂层等相关技术，攻克碳化硅炉管等高纯烧结碳化硅产品成型工艺的技术难点，研发应用于立式炉装备的高强度、高纯度和高耐久度的烧结碳化硅零部件。

（4）TaC 涂层石墨产品及技术研发项目

碳化硅衬底制备过程中，高温单晶炉内碳化硅晶体的生长条件苛刻，质量和成本受到热场材料的影响显著。TaC 涂层的石墨产品作为先进热场材料，在碳化硅晶体的生长过程中具有很好的稳定性，是目前碳化硅行业中高温装备所必须的热场材料。

本项目以 CVD 涂层技术路线为主，烧结实验为辅，研发可大规模生产致密均匀的 TaC 涂层石墨部件的工艺路线，制备 TaC 涂层的石墨产品，用于碳化硅外延设备或碳化硅单晶炉设备，提升公司产品丰富度和竞争力，进入更多下游领域。

2、项目投资概算

本项目建设拟投资 28,747.00 万元，均拟使用募集资金投入，主要用于上述研发项目的设备购置及安装费、人员薪酬等。

3、项目时间周期和时间进度

本项目含多个研发课题，项目整体实施周期预计在 3 年内完成，具体课题实施进度计划将以各子课题为主线推进，项目研发所需的资金投入将根据子课题研发需求安排。

4、备案程序履行、环评批复、土地使用情况

公司于 2022 年 10 月 21 日取得广州开发区行政审批局出具的国家代码为2210-440112-04-02-704386 的《广东省企业投资项目备案证》，已完成项目固定资产投资涉及的发改委备案程序。

2023 年 3 月 15 日，广州开发区行政审批局出具了《关于志橙半导体 SiC 材料研发制造总部新增研发项目环境影响报告表的批复》（穗开审批环评〔2023〕75 号），批准了该项目环境影响报告书，同意该项目建设。

本项目拟利用公司现有土地实施，不涉及新取得土地的情况。