上海浦东-全集成射频前端模组研发及产业化项目可行性研究报告
思瀚产业研究院 飞骧科技    2025-03-03

1、项目基本情况及建设内容

全集成射频前端模组研发及产业化项目顺应射频前端模组化的发展趋势，通过集成电路设计及生产工艺的改进，集成功率放大器、低噪声放大器、射频开关、滤波器等射频器件，研制出高集成度的标准化射频前端模组并实现产业化。

通过本项目的实施，公司的射频前端模组研发实力将得到大幅提升，对于公司综合竞争力的提升具有正向效应。本项目旨在实现高集成度射频前端模组的研发及产业化，包含高集成度模组的系列产品，例如：Phase7 LE L-PAMiD 套片，Sub3GHz L-DiFEM 产品，Sub3 GHz DiFEM 产品，Sub6GHz 收发模组和接收模组。

该系列产品通过对砷化镓 PA 的创新电路设计、功率合成网络设计、以及模组的隔离度优化，达到既定的功率要求、效率要求和收发隔离要求。通过对硅基芯片 LNA 和滤波器的集成，形成一系列 Sub3GHz 和 Sub6GHz 的 L-DiFEM、DiFEM 和 L-FEM 产品，满足平台所需的多通道、多级增益、以及多发多收的功能需求。

2、项目实施的必要性、可行性

（1）项目实施的必要性

①顺应高集成化技术趋势，提高公司持续盈利能力

射频前端作为手机通信功能的核心组件，直接影响着手机的信号收发。随着 5G 通信技术的发展，同一终端设备内发射和接收通道的数量增加，射频前端复杂程度显著提升，致使手机等移动终端对射频前端器件数量需求不断增加。

然而手机等移动终端却向着轻薄化、便携性方向发展，分立式器件方案将难以满足移动终端的空间及性能需求。在此背景下，射频前端模组化趋势愈加明显，射频前端器件高度集成化正成为射频前端行业的一大发展趋势。

公司顺应射频前端高集成化发展趋势而进行进一步深化布局，有利于公司把握行业发展机遇，促进公司盈利能力持续提升。

②抓住国产替代的发展机遇，进一步构筑竞争壁垒

目前，高集成度的射频前端模组市场主要被 Broadcom、Skyworks、Qorvo、Murata 等美日厂商垄断，主要是因为美日等头部企业具有先发优势，在技术、专利、工艺等方面具有较强的领先性，且大部分国际企业以 IDM 模式经营，拥有设计、制造和封测的全产业链能力，综合实力强劲，而国内高集成射频前端模组的设计研发及生产工艺技术研发起步较晚，尚处于技术追赶阶段。

不过，中国是承载 5G 商用落地的最大市场，5G 产业链的迅速发展带来了射频前端广阔的国产替代空间。目前，国内射频前端龙头厂商正在不断从分立器件产品向射频前端模组产品延伸，持续推动产品高集成模组化进程。

因此，公司将充分利用现有技术和人才优势，结合未来投入的更多先进的研发设备及高端人才，开展 L-PAMiD、L-FEM/L-DiFEM、L-DiFEM 等射频前端模组的研发及产业化工作。通过本项目的实施，将有利于公司抓住射频前端模组国产替代的发展契机，增强公司产品市场竞争力，不断巩固公司市场地位。

③强化滤波器工艺设计能力，实现全集成射频前端模组产业化

全集成化模组，即将 PA、LNA、Switch 和滤波器等分立射频器件进行有机整合以形成高集成度的模组化产品，而滤波器系其中非常重要的分立器件。滤波器主要是通过将带外干扰和噪声滤除的方式，以提高信号的抗干扰性及信噪比，满足相关通讯协议要求。

随着通信协议的不断升级，其复杂度日益提高，对于信号的抗干扰性及信噪比要求持续提升，导致滤波器的设计愈加具备挑战性；同时，频带数目的增加使得手机等移动终端对滤波器的需求数量不断上升，但移动终端设备的便携性要求又对滤波器的集成度不断提出更高的要求。可以看到，基于滤波器在射频前端中的重要性，滤波器的设计以及集成能力的提高已然成为射频前端企业提升自身综合竞争力的重要措施。

因此，公司将通过本项目积极掌握滤波器、双工器/多工器与功率放大器、低噪声放大器协同设计技术，研制 LB L-PAMiD、MHB L-PAMiD、L-DiFEM 等

高集成度射频模组所需的滤波器芯片，以期实现全集成化射频前端模组的研发及产业化。

（2）项目实施的可行性

① 射频前端模组化趋势下，模组市场保持持续增长

射频前端模组市场将持续增长，具有较强的市场可行性。根据 Yole 预测，2019-2026 年，全球射频前端市场规模将保持持续增长，年复合增长率达到8.3%，2026 年射频前端市场将达到 216.7 亿美元，其中射频前端模组市场规模将达到 155.38 亿美元，约占射频前端市场总容量的 71.70%。2019-2026 年，分集接收模组市场规模年复合增长率为 9.7%，市场规模将达到 33.39 亿美元，发射或收发模组市场规模年复合增长率为 7.8%，将达到 94.82 亿美元。

② 现有模组技术储备为进一步研发奠定良好的基础

公司已掌握 L-PAMiF、PAMiF、L-FEM、Phase5N PA 模组等 5G 模组产品设计技术并已实现大规模量产，产品组合可以完整满足 Sub-6GHz 频段1T4R、2T4R 等方式的任意 5G NR 应用；在 Sub-3GHz 频段可以覆盖所有频段，同时组合满足 EN-DC 应用需求。

截至 2022 年 3 月 31 日，公司合法拥有69 项境内专利，其中发明专利 28 项，实用新型专利 41 项，此外公司还拥有境外专利 6 项。公司核心技术 11 项，涵盖了射频前端模组主要器件及模组的设计。

上述模组设计相关的产品、专利及核心技术为公司进一步研发及产业化全集成射频前端模组奠定了坚实的技术基础。

③ 客户可行性

自成立以来，公司始终坚持“客户为本，合作共赢”的经营理念，逐步与一批高质量终端品牌客户达成稳定合作。公司的 5G 模组产品向荣耀、联想（摩托罗拉）、传音等终端客户及华勤技术、闻泰科技、天珑移动、中诺通讯等ODM 厂供货，并通过 ODM 厂应用于三星等品牌。本项目开发的射频前端模组产品的目标客户与公司现有产品的客户群体基本一致，公司良好的客户基础将为本项目未来订单的消化提供便利。

3、项目投资概算

本项目建设期 48 个月，总投资 41,005.00 万元

4、项目周期和时间进度

本项目建设期为 48 个月

5、备案程序的履行情况

“全集成射频前端模组研发及产业化项目”已经取得上海市浦东新区发展和改革委员会出具的上海市企业投资项目备案证明，项目代码为 2111-310115-04-05-776949。根据《建设项目环境影响评价分类管理名录（2021 版）》，本建设项目不纳入建设项目环境影响评价管理，无需办理环境评价相关批复及备案手续。

6、项目实施地点与环境保护事项

本项目拟于上海租赁 2,000.00 平方米的场地，满足项目研发及办公需要。本项目不涉及土建工程。本项目不会产生工业废水、废气、废渣与噪声等，不会对环境产生污染。

7、项目可行性及与公司现有主要业务、核心技术之间的关系

本项目系公司顺应射频前端模组化发展趋势而做出的重要举措，项目将对射频前端模组进行产业化研究，研制全集成的标准化射频前端模组（集成 PA、LNA、Switch、滤波器等射频器件）并实现产业化，进一步提高公司产品集成度。在移动终端设备体积逐渐缩小，而设备内射频器件数量不断增加的趋势下，射频前端模组市场的规模预计将持续扩大，集成度不断提高，广阔的市场空间将为本项目新增产能的消化提供有力保障。

其次，基于公司成熟的芯片研发设计体制及深厚的射频前端技术积累，本项目的实施具备技术可行性。本项目产品的目标客户和公司现有产品客户群基本一致，良好的客户基础将为本项目未来订单的消化提供便利。

综上，本次项目是对公司主营业务的延伸和拓展，将为公司在未来的市场竞争中保持优势提供有力保障。

完整版可行性研究报告依据国家部门及地方政府相关法律、法规、标准，本着客观、求实、科学、公正的原则，在现有能够掌握的资料和数据的基础上，主要就项目建设背景、需求分析及必要性、可行性、建设规模及内容、建设条件及方案、项目投资及资金来源、社会效益、经济效益以及项目建设的环境保护等方面逐一进行研究论证，以确定项目经济上的合理性、技术上的可行性，为项目投资主体和主管部门提供决策参考。

此报告为摘录公开部分。定制化编制政府立项审批备案、国资委备案、银行贷款、产业基金融资、内部董事会投资决策等用途可研报告可咨询思瀚产业研究院。