(一)项目投资概算
本项目总投资 109,612.25 万元,其中设备购置费用 6,484.12 万元,研发投入80,417.13 万元,基本预备费 1,738.03 万元,铺底流动资金 20,972.97 万元。
实施主体为北京昂瑞微电子技术股份有限公司。
本项目拟根据协议标准的更新要求,对现有射频 SoC 芯片产品的配置、性能、安全以及工艺等各个方面进行优化升级,研发低功耗蓝牙芯片、高性能蓝牙音频芯片和支持包括蓝牙、Zigbee、Matter、Thread、HomeKit、星闪等物联网协议标准的无线物联网多协议芯片产品。
(二)项目建设的可行性
1、公司已积累丰富的技术储备和研发经验
公司自成立起始终专注于射频技术的研发,已经形成了包括射频功率放大器高低功率合成电路、功率放大器功率切换电路等在内的多项技术专利积累。在产品开发工艺上,公司已经积累了基于 CMOS、GaAs、SOI、SiGe 等工艺的集成电路设计和大规模量产经验,为本项目产品性能的进一步提升和成本优化做出了充足准备。
现阶段,公司已经形成了覆盖 2G/3G/4G/5G 全频段的射频前端模组及分立器件的产品和技术布局。公司丰富的产品及技术积累为本项目的开发提供了坚实的技术基础。
2、射频前端模组市场持续增长,为项目实施奠定市场基础
受全球移动终端数量增长的驱动,射频前端市场规模持续增长,根据 Yole数据,全球射频前端市场规模从 2018 年的 112 亿美元增长到 2022 年的 177 亿美元,年均复合增长达 12.1%。5G 时代下,射频器件需求量的增加导致手机内 PCB空间紧张,工艺难度提升。且随着终端设备对轻便性的要求越来越高,其体积越来越小,使用模块化技术减小射频器件所占用的空间,实现射频前端模组化的趋势愈发凸显。
2022 年,射频功率放大器模组的市场规模为 87 亿美元,已成为射频前端市场规模最大的细分产品领域。射频前端模组市场的高速发展为公司射频前端芯片的产能扩张提供了持续动力,为募投项目的实施提供了市场基础。
3、下游应用领域的快速增长对射频芯片的需求不断增加
随着 5G 通信、物联网等新技术的不断发展成熟,智能手机、消费电子等主要下游产业也在快速发展,各类创新应用层出不穷。一方面,通信制式的升级对射频芯片提出了更多需求,5G 设备中对射频前端模组及分立器件的需求较 4G时代大幅增加,为射频前端市场发展提供了良好机遇;另一方面,技术的发展为智能手机和可穿戴设备市场发展提供了新动力。
叠加国产化趋势观念的进一步深入,我国国产射频前端市场需求旺盛。目前,公司射频前端芯片产品已经凭借其过硬的技术实力在全球前十大智能手机终端中除苹果外所有品牌客户实现规模销售,包括荣耀、三星、vivo、小米、客户 A、OPPO、联想(moto)、传音、realme。包括 2G PA 到 5G L-PAMiD 等在内的公司自研的一系列射频前端芯片产品均已获得了市场的广泛认可,为本项目产品的顺利导入和销售目标的实现提供了关键基础。
(三)项目建设的必要性
1、有利于公司抓住国产供应链导入机会,推动产品规模化发展
自贸易摩擦以来,集成电路产业的国产化进程不断加快。国内集成电路关键技术的持续突破和企业对保障供应链安全的关注度的不断提升,为我国集成电路企业发展提供了重要机遇。从射频芯片领域来看,目前,全球射频前端市场主要被欧美厂商所占据,其中,在价值量较高,技术难度较大,对设备通信质量影响较为显著的高性能、高集成度的射频前端模组领域几乎被 Skyworks、Qorvo、Broadcom 等海外厂商所垄断。
与此同时,随着 5G 商用建设进入实质发展阶段,5G 技术在各领域的应用不断提速,有力推动了射频前端模组及分立器件使用量的大幅上升,为国产厂商扩大销售规模提供了空间。在此基础上,公司拟通过对现有 L-PAMiD、L-PAMiF、L-DiFEM/DiFEM 等模组方案以及开关、LNA 等射频分立器件产品、车载通信射频前端模组的持续开发升级,积极把握通信技术升级背景下的国产机会,实现公司射频前端业务规模的进一步扩展。
2、提升产品技术水平,保障业务持续发展
伴随 5G 技术的不断成熟,终端产品中所需集成的元器件数量不断增加,对高频率、低时延等无线通信质量的要求也显著提升。此外,随着射频前端向小型化、高频化和集成化发展,射频前端技术难度不断升级。射频前端作为终端设备实现通信信号合路、过滤、消除干扰、放大等功能的核心部件技术水平亟待提升。
随着 5G 应用的不断深化,为更好地满足 5G 新频段和新调谐方式产生的市场需求,提升公司射频前端模组及分立器件的研发及设计能力,增强公司集成化射频前端模组的综合解决方案的提供能力,本项目拟针对手机、智能汽车及可穿戴设备市场发展需要,进一步扩充研发人员团队,加大公司在射频前端领域的研发投入力度,以产品技术升级构建新的利润增长点。
3、顺应行业发展趋势
通讯技术的革新推动着超高频、载波聚合等技术的快速发展,进而为手机射频器件的发展带来新的成长动能。随着 5G 商用产品不断落地,为兼容多类型、多频段的不同通信制式要求,射频前端的零件用量和电路设计的复杂性急剧增加,集成化、功能性拓展成为射频产品发展方向。同时,伴随着适用于 5G 场景下的高性能射频方案的推出和 L-PAMiD、L-PAMiF、L-DiFEM 等射频前端模组方案需求的急剧增加,高集成度模组产品成为射频前端发展的主要方向。
因此,本项目拟顺应行业技术发展趋势,以公司在 5G 领域的射频前端模组及分立器件产品和技术储备为依托,面对射频领域广阔的发展前景和快速增长的市场需求,进一步提高公司射频前端模组及分立器件的研发设计能力。
(四)项目周期和时间进度
本项目建设期为四年,第一年第一季度通过方案设计及评审,开始进行主要设备的引入及安装,并进行人员招聘及培训,第一年第二季度开始进行项目产品的研发与测试,部分产品于第一年第三季度开始销售并持续进行产品的升级研发。
(五)项目实施地点
本项目的实施主体为北京昂瑞微电子技术股份有限公司,本项目实施地点为北京市海淀区东北旺西路 8 号院 23 号楼 5 层,公司已完成场地租赁。
(六)项目审批、核准或备案情况
根据北京市海淀区科学技术和经济信息化局于 2024 年 12 月 6 日出具的“京海科信局备[2024]311 号”《北京市非政府投资工业和信息化固定资产投资项目备案证明》(项目代码:2411-110108-04-05-196033),项目“射频 SoC研发及产业化升级项目”已办理备案手续。本项目属于集成电路设计项目,仅产生少量办公和生活垃圾,不涉及生产过程污染物。根据《建设项目环境影响评价分类管理名录(2录(2021 年版)》,该项目不纳入环评管理,无需办理环评文件审批或备案手续。
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