江苏省张家港市-SiC功率器件研发升级项目可行性分析报告
思瀚产业研究院 锴威特    2023-08-14

1、项目基本情况

SiC 功率器件研发升级项目主要涉及 650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD 工艺优化、器件升级及 SiC功率模块的规模化量产。

在 SiC 功率器件方面，一是将 SiC MOSFET、SiC SBD 产品由 4 英寸工艺平台升级 6 英寸工艺平台；二是在 SiC MOSFET 基础上开发集成 SBD 器件，开发出 650V和 1200V的 SiC SKMOS。

在 SiC 功率模块方面，包括 SiC SKMOS 功率模块和集成功率驱动的 SiCSKMOS IPM 智能功率模块的研发。

SiC 功率器件及 SiC 功率模块的研发、规模化量产及销售，可以有效丰富公司产品品类，扩大产品的应用范围，提高公司 SiC 产品的供货能力，从而提高公司盈利水平。

2、项目投资概算

项目总投资 8,727.85 万元，其中，装修工程费用 64.86万元，占比 0.74%；软硬件购置费用 1,497.00 万元，占比 17.15%；预备费 78.09 万元，占比 0.89%；办公场地租赁费用 19.24 万元，占比 0.22%。

研发人员薪酬及福利费用 2,169.55万元，占比 24.86%；试产试制费用 4,193.10 万元，占比 48.04%；掩膜版费用456.00 万元，占比 5.22%；资质、认证及其他知识产权事务费用 250.00 万元，占比 2.86%。

3、项目周期和时间进度

本项目建设时间为 36 个月。本项目实施主要分为方案设计，可行性研究，办公场地租赁及装修，设备采购、安装及调试，人员招聘、培训和产品研发、升级及产业化等阶段。

4、备案程序的履行情况

本项目建设已于 2022 年 1 月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》（项目代码：2201-320582-89-01-601805）。

5、项目实施地点与环境保护事项

本项目在公司已有的办公场地进行项目的建设、实施，不涉及土建工程。本项目产品生产环节委托晶圆代工厂和封测厂进行加工，项目运营过程主要是对产品进行设计、开发和测试，因此项目运营过程中公司不产生废气、废水、废渣等工业污染物，不会对环境产生污染。

6、项目可行性及与公司现有主要业务、核心技术之间的关系

公司在深耕功率器件、功率 IC 产品的基础上，积极布局第三代半导体研发，公司已完成了 SiC 功率器件设计平台、测试验证平台建设，在 SiC 功率器件的关键器件工艺、SiC MOSFET 低缺陷密度栅氧工艺、SiC功率器件结构设计和高压终端技术等方面积累了较多的经验。

在 SiC 功率器件研发升级项目拟推出的新产品中，SiC 功率器件具体包括650V-1700V SiC MOSFET 产品系列、650V-1700V SiC SBD 产品系列和 650V-1200V SiC SKMOS（集成 SBD 的 SiC MOSFET）产品系列；SiC模块具体包括基于 SiC SKMOS 的功率模块和基于 SiC SKMOS 的 IPM 智能功率模块。

650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD 是基于公司 4 寸 SiC晶圆技术而升级至 6 寸 SiC 晶圆技术，采用先进的制程技术及设备，结合芯片设计的优化实现芯片的功率密度进一步提升；650V-1200V SiC SKMOS（集成 SBD的 SiC MOSFET）是在公司已有的 SiC MOS和 SiC SBD 工艺技术的基础上进行研制；SiC SKMOS 的功率模块是在公司已有的 SKMOS 工艺和设计基础上结合积累的功率模块设计经验进行研制；SiC SKMOS 的 IPM智能功率模块是利用公司已有的栅极驱动 IC，结合开发的 SKMOS 进行研制。

公司将把握国产化替代机遇，通过该项目的成果转化，推进新研发的高性能 SiC 功率器件的量产进程。报告期内，公司已掌握了 SiC 功率器件核心技术，完成了代表产品的研制，并已初步实现了市场布局，产品已得到高可靠领域客户的认证和采购。项目实施不改变公司主营业务，是公司原有业务的延展和深化，项目实施具有可行性。

上述研发项目是在公司已掌握的核心技术及积累的设计及工艺开发经验基础上进行的进一步开发。

可行性研究报告依据国家部门及地方政府相关法律、法规、标准，本着客观、求实、科学、公正的原则，在现有能够掌握的资料和数据的基础上，主要就项目建设背景、需求分析及必要性、可行性、建设规模及内容、建设条件及方案、项目投资及资金来源、社会效益、经济效益以及项目建设的环境保护等方面逐一进行研究论证，以确定项目经济上的合理性、技术上的可行性，为项目投资主体和主管部门提供决策参考。