光刻技术是指利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将设计好的微图形结构转移到覆有感光材料的晶圆、玻璃基板、覆铜板等基材表面上的微纳制造技术,用它加工制造的器件包括:芯片、显示面板、掩膜版、印制电路板等。
光刻技术的主要工艺流程包括预处理、涂胶、曝光、显影、刻蚀和去胶等一系列环节,整个工艺流程是一个复杂的过程,各工艺环节互相影响、互相制约,其中曝光是光刻技术中最重要的工艺环节。
在当今科技与社会发展中,光刻技术的发展进程直接关系到通信产业、电子产业等高科技领域的革新,是推动社会不断发展进步的关键技术之一,在 PCB领域及泛半导体领域均有广泛应用。
目前,在 PCB 领域中,PCB 产业化制造通常要求光刻精度为微米级;在泛半导体领域中,IC 产业化制造及 IC 掩膜版制版通常要求光刻精度为纳米级,FPD 产业化制造通常要求光刻精度为微米级。