半导体 CMP 制程工艺材料领域竞争格局
思瀚产业研究院    2024-08-18

CMP制程工艺材料主要依托 CMP 技术的化学-机械动态耦合作用原理，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化；其涉及力学、化学、摩擦学、高分子材料学、固体物理和机械工程学等多学科的交叉，研发制造难度大。

根据艾邦半导体网数据，美国杜邦（Dupont）占据了全球 CMP 抛光垫 75%以上的市场份额，其他公司包括美国卡博特（CMC Materials）、美国 TWI（Thomas west Inc）、日本富士纺（Fujibo）等，上述几家海外龙头企业占据了全球 CMP 抛光垫市场约 90%的份额。

根据 QYResearch 数据，全球 CMP 抛光液市场主要被美国卡博特（CMC Materials）、日本力森诺科（Resonac）、美国 VSM（Versum Materials）和日本福吉米（Fujimi）等美日企业垄断，竞争格局较为集中，2022 年全球 CMP 抛光液前十大供应商占比约为 87%。

CMP 抛光材料市场集中度较高，竞争格局呈现寡头垄断，主要原因是技术门槛高、龙头企业专利及产品丰富且客户粘性强。芯片先进制程对 CMP 抛光材料提出了更高的要求，根据集成电路材料研究，当前 IC 芯片要求全局平整落差10-100nm 的超高平整度，对抛光工艺要求十分严格。

在超高精细度的同时，晶圆代工厂要求抛光材料具有极高的良率和稳定性，因此一旦形成稳定的供应体系，一般情况下晶圆代工厂不会轻易更换抛光材料供应商。

国外龙头企业的产品由于技术先进、产品线更为成熟，处于中国市场的第一梯队，国内 CMP 抛光材料产业起步慢，正在逐步实现国产替代。

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