存储芯片主要应用于汽车中的信息娱乐系统、动力系统和 ADAS 等领域。电动智能化趋势的进一步推进,将持续带动车载存储芯片用量需求。
据佐思汽研数据,汽车存储芯片在汽车半导体中的价值占比从 2023 年的 8%左右预计提升至 2028 年的 10%-11%。据共研网数据,全球汽车存储芯片预计从 2020年的 33.85 亿美元提升至 2025 年的 81.93 亿美元,CAGR 约 19.33%。
智驾等级的提升,汽车所处理的数据量也呈指数级增长,促使存储升级。据 SK海力士披露数据,智能车单车 DRAM 容量可达到 151GB,Nand 容量需求可达到1856GB,对存储需求主要体现在车载娱乐和 ADAS。
据 eet-china 数据,L1 和 L2 对数据的处理要求较低,存储容量需求相对较小;L3/L4 的 ADAS 和车载娱乐功能不断丰富,对 DRAM 的容量需求提升至 6-12GB,NAND 容量也有较大提升;可实现无人驾驶的 L4/L5 级别对车载娱乐和 ADAS 的存储要求更高,DRAM 容量需求增加至 20GB 以上,NAND 也达到 1TB 以上。
智能驾驶等级提升所产生的大量数据计算需求是推动车规级存储发展的根本动力。L1 和 L2 的 DRAM 为 LPDDR4,带宽均在 100GB/s 以下,L3 升级为 LPDDR5,带宽在 200GB/s 以上,L4/L5 可实现无人驾驶,预计搭载 GDDR6,带宽更有较大幅度提升,约是 L1 的 9 倍。
从车规级 Nand 来看,L1/L2 为 eMMC,容量约在 100GB 以下,L3 可搭载 eMMC或 UFS 2.1,容量约在 100-512GB,L4/L5 则需要搭载 PCIe,最高容量可达 2TB,约是 L1 的 20 倍。
Nor flash 主要应用于汽车的摄像头、毫米波雷达、激光雷达到ADAS、屏幕显示,以及 WiFi、蓝牙、UWB 等领域,单车 Nor Flash 用量从十几到几十颗不等。
智能汽车对 EEPROM 使用需求高达 30-40颗,相较普通燃油车 EEPROM 使用的 15 颗左右有较大提升,且正在向 BMS、智能座舱、网关、三电系统等应用延伸。
新型存储 FRAM 相较传统的 Flash、EEPROM 在读写耐久性、写入速度和功耗方面更具有优势,目前已应用于安全气囊数据存储、事故数据记录器、新能源车 CAN盒子、新能源车载通信终端等领域,未来将有望替代 Flash 和 EEPORM,在汽车领域的应用进一步扩大。
Nor Flash 在汽车上的应用
据佐思汽研数据,在特斯拉 HW3.0 中,第一代 FSD 存储带宽仅为 34GB/s,难以支撑下一代大模型运行,因此在 HW4.0 中搭载了 16颗GDDR6,每颗 2GB,加上座舱控制器里的 4颗GDDR6,合计 20 颗共 40GB,成本在 160 美元以上,而HW3.0 的成本约为 28 美元。
预计车载存储下一代将会是 GDDR6,GDDR6 之后将会是 HBM,特斯拉的HW5.0 或第三代 FSD 芯片可能采用 HBM 存储,但短期内仍以 GDDR6 为主。
更多行业研究分析请参考思瀚产业研究院官网,同时思瀚产业研究院亦提供行研报告、可研报告(立项审批备案、银行贷款、投资决策、集团上会)、产业规划、园区规划、商业计划书(股权融资、招商合资、内部决策)、专项调研、建筑设计、境外投资报告等相关咨询服务方案。