大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目可行性研究报告-立项审批备案
思瀚产业研究院    2022-04-06

大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目

1、项目基本情况

大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目由露笑科技股份有限公司的控股子公司合肥露笑组织实施，项目实施地址为安徽省合肥市长丰县双墩镇双凤路与颍州路交口东南角，项目建设期为 24 个月。

本项目主要建设内容为大尺寸碳化硅衬底片研发中心厂房建设及装修工程、研发设备购置及安装、引进行业内高水平研发人才等。该项目将结合半导体产业下游产品需求以及碳化硅材料行业的技术难点和技术路线，重点推进 8 英寸碳化硅衬底片的技术研发工作。

研发中心的建设，将加强公司在碳化硅方面的基础研究和新产品、新工艺的研究开发能力，为公司引进行业内高水平的研发人才，使公司研发水平不断提升，为公司持续快速发展提供有力的支持。

2、项目实施的必要性

（1）整合现有研发资源，把握行业发展趋势，提升公司研发实力

根据国家发改委发布的《战略型新兴产业重点产品和服务指导目录（2016年版）》，碳化硅等电子功能材料列入战略型新兴产业重点产品目录。根据 2016年 12 月工信部、国家发改委、科技部与财政部联合发布的《新材料产业发展指南》，宽禁带半导体材料属于鼓励发展的“关键战略材料”，大尺寸碳化硅单晶属于“突破重点应用领域急需的新材料”。在《中国制造 2025》中，大尺寸碳化硅单晶衬底被明确为“关键战略材料”、“先进半导体材料”。

作为宽禁带半导体器件制造的关键原材料，碳化硅衬底材料制造的技术门槛较高且研发投入较大。目前，国内能够向企业用户稳定供应 4 英寸及 6 英寸碳化硅衬底片的生产厂商相对有限，面对国外竞争厂商相较于国内企业的技术领先优势，公司必须在现已掌握的碳化硅相关技术的基础上，进一步整合现有研发资源，把握行业发展趋势，积极推进更大尺寸（目前主要为 8 英寸）的碳化硅衬底片技术研发以及现有生产工艺的技术改进研发工作，从而避免在行业的快速发展和市场的激烈竞争中处于落后位置。

本项目建设有利于公司对新材料领域的拓展及碳化硅领域的产业布局，增强企业的研发创新能力，有助于提升公司新产品、新工艺的研究开发能力，使公司技术水平始终处于行业领先地位。

（2）满足公司的研发场地以及研发设备需求

在当前快速发展的科学技术和竞争激烈的市场环境中，公司需持续提高技术研发实力，以保持与客户的长久合作和巩固公司核心技术优势。公司目前研发场地和设备难以匹配未来大尺寸碳化硅衬底片行业快速发展的需求，公司虽已有健全的研发管理体系与激励机制，但研发硬件配套仍存在一定不足，一定程度上降低了公司开发能力及研发速度，不利于公司提高生产效率及成本控制能力。

研发中心建设项目完成之后，公司研发场地将大幅扩大，同时将购置大量先进研发设备。通过本项目的实施可以显著巩固公司核心技术优势，改善公司现有研发环境和设备，有效提高公司自主研发能力，有助于公司长期发展，也符合公司战略布局及规划。

（3）有利于完善公司的研发体系，培养和聚集高层次技术人才

建设研发中心，为研发工作提供完善的条件，有利于加快公司的研发速度，并提高产品研发的质量。将该研发中心打造成为聚集和培养优秀科技创新人才的重要基地，可以为行业高技术人才的培养提供良好的土壤，形成人才的良性成长机制和环境，形成高水平的创新与研发团队，同时将建立适宜的人才培养机制，培养更多行业研究与应用领域的高层次人才。

因此，研发中心项目建设有利于完善公司的研发体系，实现公司战略布局与战略目标，有利于培养和吸引更多的专业人才，壮大研发团队，在提高核心竞争力的同时，也推动企业的健康长远发展。

3、项目实施的可行性

（1）积极的宽禁带半导体产业政策

近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策积极推动宽禁带半导体产业的发展。2020 年 8 月，国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设；2021 年 3 月，十三届全国人大四次会议通过的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035 年远景目标纲要》，提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。

我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机，有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。

（2）公司拥有项目实施的人才和技术储备

经过多年布局和发展，公司已形成较为充足的人才和技术储备以支持大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目的顺利建设。在人才储备方面，公司储备了国内较早从事碳化硅晶体生长研究的专家人才——陈之战博士；在技术积累方面，公司在布局蓝宝石业务期间积累了大量的生产蓝宝石长晶炉的经验，由于蓝宝石晶体和碳化硅晶体生长之间的相似性，公司在碳化硅晶体生长的长晶炉上同样具有较强的实力。公司凭借在蓝宝石业务上的深厚积淀，已突破数项碳化硅长晶炉及长晶环节关键技术。

（3）第三代半导体材料的广阔市场空间将与研发中心的技术转化形成良性循环

随着近年来第三代半导体材料在新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域的广泛应用，全球对以碳化硅晶片为衬底的器件需求持续增长。由于碳化硅晶片制造难度较大，行业的整体供应规模有限，目前行业总体上呈现供不应求的状态。伴随着国家各项鼓励扶持政策的出台，第三代半导体材料未来的发展空间较为可观，这为大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目的建设提供了良好的市场环境，有利于公司及时将研发成果转化为生产能力，并形成“研发—产业化”的良性发展循环，使研发中心的效益最大化。

4、项目投资估算

本项目总投资金额为 50,000 万元人民币，其中拟使用募集资金投入 50,000万元。本项目总投资主要涉及研发厂房建设、研发设备购置及安装、研发人才引进等研发投入。

5、项目效益情况

本项目为大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目，项目建成后，对企业不产生直接财务效益，因此本项目不进行财务评价分析；但研发中心的建成将显著提升公司的技术研发实力，增强公司的综合实力，有利于保持公司在市场竞争中的优势地位。

6、项目备案、环评及用地情况

本项目建设用地位于安徽省合肥市长丰县双墩镇双凤路与颍州路交口东南角，公司已取得相关土地使用权。截止目前，本项目涉及的备案、环评工作正在进行中。

个性化定制请咨询思瀚产业研究院。