全球及中国利基DRAM市场规模预测及发展趋势
思瀚产业研究院 力積存儲    2026-09-11

利基DRAM与主流DRAM的定义

基于产品和市场特性，DRAM可分为主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM产品具有大容量、高传输速率的特点，主要应用于智能手机、个人电脑、服务器等大规模标准化电子设备。相比之下，利基DRAM依赖成熟技术，满足汽车、通讯、工业应用、医疗设备的多样化市场需求。这些领域更注重产品的定制化、更优的性价比、长生命週期支持和可靠性。

此外，利基DRAM的下游应用高度分散，导致需求相对稳定，因此与主流DRAM市场相比，其市场波动幅度更小。利基DRAM市场既未消亡，亦非夕阳产业。随著主流内存产品经歷技术升级，更早代际产品退出主流板块后，通常会被利基DRAM市场吸收并继续存在。这些产品持续服务于消费电子、工业及汽车等应用领域，满足其对高稳定性、低功耗与成本效益的需求。

凭借成本优势与可靠性能，利基DRAM在具备此类需求的多个细分领域中持续显示出需求韧性。内存产品的生命週期遵循从主流市场向利基领域逐步过渡的规律，最终逐渐淡出市场。当新一代DRAM在带宽和能效方面实现显著提升时，便会取代前代产品在个人电脑、服务器及智能手机等主流应用领域的位置。

前代产品凭借其成熟稳定、成本效益高及长期供应能力等优势，转向消费电子、工业设备及汽车系统等长生命週期应用领域，从而转型为利基产品。随著替代进程完成、需求萎缩及产能转移，更早代际产品将呈现逐步淘汰态势，从而延长整体生命週期。

作为一个说明性的案例研究，从代际角度来看，DDR1、DDR2及DDR3分别于2000年、2003年及2007年进入主流DRAM市场，并被广泛应用于个人电脑、服务器及智能手机。随著技术持续进步及下游市场对更高性能、更低功耗的需求增长，DDR4及DDR5等新一代产品相继问世，逐步取代前代产品成为主流DRAM市场的主导产品。

与此同时，更早代际产品逐步退出主流DRAM市场，DDR1、DDR2及DDR3分别于2006年、2010年及2016年左右转向利基DRAM市场。当前，DDR3仍为利基市场的主流产品，而DDR1及DDR2则持续服务于消费电子、工业及汽车等特定应用领域，该等领域更注重长期供应稳定性及高可靠性。儘管利基DRAM产品市场规模已然萎缩，却恰恰印证了其典型的长生命週期与缓慢迭代特徵。

利基DRAM市场的演进由技术进步与应用需求共同塑造。主流DRAM市场对更高性能与更低功耗的持续追求推动著新一代产品的问世，而更早代际产品则逐步转型进入利基市场，在特定应用领域中持续创造价值。此外，工业与汽车领域更注重长期供应稳定性、产品可靠性及成本效益，这使得利基DRAM产品能够在该等专业市场中维持更长的生命週期。

在大量市场需求及其卓越性价比优势的支持下，利基DRAM持续展现出强大的生命力。其核心应用在于对存储器性能要求适中但成本效益和稳定性至关重要的领域，包括数字电视、机顶盒、数码相机、媒体播放器、游戏机、智能扬声器、通信基站、路由器、Wi-Fi设备、工业传感器、监控系统、智能电表、智能门锁、车载网关、汽车仪表板、车辆传感器及车载信息娱乐系统。这些领域通常对存储容量和性能要求有限，但需要低功耗且成本效益高的存储器解决方案－这正是利基DRAM的用武之地。

因此，利基DRAM与主流DRAM保持著明显差异化的竞争格局，预计将长期共存，利基DRAM在短期内不太可能被主流产品取代。随著AI将部分需求转向更高端、更高容量的存储器，利基DRAM面临结构性阻力，其可触及市场可能缩小。然而，鉴于利基应用高度分散且很少依赖容量或先进製程，总体影响预计仍然有限。

利基DRAM市场与主流DRAM领域呈现截然不同的竞争格局。主流DRAM主要用于智能手机、个人电脑及服务器等大规模标准化电子设备，此类设备对内存性能与规格要求统一。因此，主流内存产品为标准化产品，具备高容量与高速数据传输率特色，并能透过规模经济实现成本降低。相较之下，利基DRAM服务于消费电子、工业及汽车应用等特定领域，其需求更为多元化，强调定製化、性价比平衡、支持长期生命週期及可靠性。儘管人工智能应用掘起正推动部分设备採用更高阶存储器，但应用场景的碎片化与利基DRAM的差异化定位确保其在未来仍具持续的相关性及稳定的增长。

利基DRAM市场将随著技术进步持续发展。随著主流DRAM取得进展，更早代际产品逐步转向利基市场，形成技术梯度与市场接力效应，为利基DRAM维持长期增长动能。与此同时，製程技术与可靠性设计的持续优化，正提升新一代利基内存产品的性能、容量与稳定性，使其更能满足消费电子、工业及汽车应用领域的严苛需求。

目前市场上的主流DRAM产品为容量8Gb以上的DDR4以及后代DRAM。容量8Gb及以下的DDR4和前代DRAM则被视为利基DRAM。

全球及中国利基DRAM市场规模分析与预测

利基DRAM市场也呈现週期性变化。在过去十年中，利基DRAM市场表现出明显的週期性波动。这些週期性模式是需求、生产、库存和价格相互作用及反覆影响的结果。这些週期的基本机制如下：

• 需求增长推动市场扩张

当全球经济增长强劲，消费电子、汽车电子和工业控制领域需求保持旺盛时，利基DRAM需求相应上升。在此阶段供不应求，价格上涨，製造商利润率扩大。为了抢佔更多市场份额和获取更高利润，製造商扩大产能并增加产量，推动市场进入扩张阶段。利基DRAM市场呈现显著週期性特徵，价格波动与供需动态、产品世代更替及下游应用转变密切相关。从过往来看，2013年、2016年及2020年均是市场週期中的典型扩张阶段。2013年价格飆升主要源于供应收缩与意外中断。部分製造商将产能从PC DRAM转向利润更高的Mobile DRAM，而韩国龙头企业工厂的重大火灾事件更导致全球有效供应减少，进一步扩大供需缺口。

2016年下半年，智能手机生产热潮导致产能转向移动产品，加剧了PC DRAM供应紧张；DDR4的推出促使製造商逐步缩减DDR3晶圆投入，供应短缺进一步加剧，推动价格再度攀升。2020年，疫情推动远程办公与学习需求激增，使路由器和网络设备等利基应用领域实现强劲增长。加之韩国主流厂商逐步削减DDR3产品供应，利基DRAM市场由此开啟补货週期，上行势头延续至2021年。由于行业供应结构高度集中且产品标准化程度高，利基DRAM市场的扩张通常由下游需求快速增长或供应收紧驱动，而需求疲软和库存水平上升则会导致市场萎缩。

DRAM市场的供需波动相较于其下游产业更为剧烈，这主要源于市场结构与产品特性。DRAM市场高度集中，2024年全球三大国际製造商佔据约70%的利基DRAM市场份额及近90%的主流DRAM市场份额。其产能规划与库存策略对整体供需平衡具有显著影响。此外，鉴于该等龙头企业间激烈的竞争和趋同的商业策略，任何一家製造商的调整都会迅速放大至整个市场。此外，虽然利基型和主流DRAM产品在规格上存在一定差异，但DRAM整体标准化程度远高于大多数其他芯片类别。这种高度标准化加剧了行业的週期性，导致价格和产能波动相对更为明显。

• 利基型DRAM市场供给、库存与定价之週期性动态

随著製造商持续扩大产能，供应最终超过需求。同时，随著需求增长放缓或趋于稳定，渠道库存开始积累。一旦库存达到一定水平，供应商採取降价策略以加速週转，加剧市场竞争，推动价格下行。随后，价格下跌抑制了製造商的生产意愿，促使他们根据市场变化减产。随著产量降低，供应逐渐减少，同时库存水平随著时间推移被消耗而下降。一旦库存降至某个閾值，供需重新达到平衡，甚至转为短缺，此时价格趋稳并开始复甦。

• 价格复苏与结构性产品升级驱动下一轮週期

复苏的价格再次改善了盈利能力。製造商为把握这些机会，增加产能投资，啟动新一轮的产量增长。随著产能扩张速度快于需求，库存重新积累，对价格造成下行压力，完成整个週期。与这些週期性波动并行的是市场透过产品标准的迭代经歷著结构性的转变。从2020年到2023年，领先製造商逐步缩减DDR3产能。从2024年底开始，领先製造商将战略重点转向AI市场所需的高端DRAM产品（如DDR5和HBM），逐步减少DDR4产量，并加速退出利基DRAM领域。

然而，由于下游应用市场分散、定制化需求的存在以及市场参与者的数量增加，其市场波动比整体DRAM市场（尤其是主流DRAM市场）更为温和。2025年全球利基DRAM市场规模达到人民币686亿元，自2020年以来实现了波动性上升。由于中国在消费电子、汽车、通讯及工业自动化与控制等行业的全球供应链中佔据重要地位，中国仍为全球利基DRAM市场中最大的市场。2025年，中国利基DRAM市场规模达到人民币416亿元，佔全球市场的60%以上。

2025年全球DRAM市场中，利基DRAM与主流DRAM按销售收入计算的市场份额分别为7.0%及93.0%。2025年中国DRAM市场中，利基DRAM与主流DRAM按销售收入计算的市场份额分别为12.3%及87.7%。于2020年至2023年，利基DRAM市场发生週期性变化。于2020年至2022年中期，DRAM行业处于上升阶段。在此期间，韩国领先的公司逐步淘汰部分DDR3的生产，并将产能重新分配予逻辑芯片，促使客户囤积库存，推高DDR3的价格，从而使利基DRAM市场整体走强。于2022年下半年开始，终端市场需求疲软导致库存水平上升。

为加快库存消化，韩国领先企业相继降价，触发DRAM行业持续调整。到2023年，市场供需达到相对平衡，DDR3价格基本趋向稳定，表现出适度波动。2024年，利基DRAM市场进入复甦阶段。随着韩国领先企业在今年全面退出DDR3业务，利基市场需求和定价都开始呈上升趋势。

主流DRAM的应用集中在智能手机、个人电脑及服务器等大型化、标准化的电子设备，而利基DRAM主要服务于一般消费电子、通讯、物联网、工业应用及汽车等领域。在这些应用场景不同需求的驱动下，主流DRAM旨在满足终端设备对高数据处理速度和大容量的性能要求，因此性能优于利基DRAM，容量和价格也相应更高。因此，按收入计，主流DRAM的全球市场份额大于利基DRAM，2025年各自份额分别为93.0%和7.0%。

主流DRAM按容量计算佔销售总量的约90.8%，利基DRAM佔比为餘下9.2%。主流DRAM的每GB价格略高于利基DRAM。市场规模差异的主要因素在于主流DRAM芯片的单颗容量(GB)相较于利基DRAM芯片更大。利基DRAM的下游应用场景高度分散，涵盖眾多终端设备类别。此外，儘管某些细分领域每台设备的存储需求可能较低，但终端设备总数量庞大，导致整体销售表现强劲。

目前，国际领先企业正逐步退出利基DRAM市场，倘其先前约佔供应的70%至80%，预计将出现巨大的市场缺口。该缺口很可能由中国製造商填补。此外，鉴于DRAM生产线的高资本要求和较长的建设週期，代工厂在短期内扩大产能的意愿有限，这为利基DRAM价格提供长期支持。此外，大量低容量电子设备（如物联网设备、网络通讯终端、5G基站、监控系统、智能仪表、汽车电子等）持续支撑着利基DRAM市场的扩张。预计到2030年，利基DRAM市场规模将增长至人民币1,362亿元。

2026年，随著领先国际製造商进一步退出利基DRAM市场，并将产能重新配置至DDR5与HBM等高利润率产品，利基DRAM市场预计将面临人民币578亿元的缺口，并预测到2030年将达到人民币911亿元。

全球利基DRAM市场主要集中于中国内地、台湾、韩国及美国。2025年，领先国际企业合计佔全球市场的65.8%，而其餘市场主要由台湾与中国内地企业佔据，分别佔全球利基DRAM市场的25.1%及9.2%。在全球贸易紧张局势升级的背景下，中国内地客户逐渐将採购偏好转向国内供应商，以确保供应链安全与稳定。在此趋势下，利基DRAM市场的现有供应缺口预计将主要由台湾与中国内地製造商填补。随著三大国际厂商持续缩减利基DRAM领域投资，中国公司凭借相邻地理位置与供应链优势把握新兴市场契机，预期将进一步提升市场佔有率。

利基DRAM市场的市场驱动力及趋势

•定制化需求持续增长

随着各行业对存储产品需求的多元化，定制化利基型内存产品能更好地满足特定客户的个性化需求。例如，物联网设备通常需要低功耗、小容量的DRAM，而汽车电子则对DRAM的可靠性和稳定性有严格要求。

•国际厂商转移市场目标

儘管海外领先厂商在利基DRAM市场仍佔据显著市场份额，但其对HBM和DDR5等高端主流DRAM市场的关注度提升，已导致其逐步退出利基DRAM市场。这意味着未来利基DRAM的生产供应预计将趋紧。结合广泛且稳定的下游市场需求，长期来看，利基DRAM价格预计将回升。利基DRAM市场的供需关系有望在长期保持健康发展。

•本土厂商份额逐步提升

国内企业逐步积累利基DRAM市场的技术和市场经验，提供性能接近或与海外公司相当的产品。在有利的政府政策及下游对本土化供应链需求增长的驱动下，国内DRAM公司有望进一步扩大市场份额。2023年10月，工业和信息化部等部门发佈《算力基础设施高质量发展行动计划》，强调要「持续提升储存产业能力，鼓励储存产品製造商加强关键储存零件的自主研发及製造」，体现了政策支持国内企业加强对DRAM核心技术的研发。

内存芯片的国产化可望打破国外技术封锁，提升中国DRAM产业的自主创新能力，带动DRAM产业企业加速技术突破与产线升级，从而加速实现核心技术的自主化。2024年5月，工业和信息化部等部门发佈《信息化标准发展行动计划（2024-2027年）》，其中规划了关键信息技术，著重于推进高效能计算晶片及存储晶片等核心技术的标准化。此举措扮演双重角色，一方面引导国内企业依循统一标准进行研发以增强产品相容性，同时促进与国际标准接轨，以加速本土化进程与进口替代。

•DRAM平均售价趋势

在利基DRAM市场中，DDR3脱颖而出，成为应用最广泛的产品。受供需动态影响，其价格在2020年至2024年间呈现波动走势。2021年，部分龙头企业将产能重新分配至其他产品线，这一调整导致DDR3供应减少，进而推动价格显著上涨。2022年，主要厂商提升了DDR3的产量，但终端市场需求增长不及预期。

为加速库存出清，企业纷纷降价，引发DDR3价格下跌。2023年至2024年，整体市场供需变化相对温和，使得DDR3价格保持相对稳定，仅出现小幅波动。2022年以来DRAM市场低迷，DDR3价格下跌的背景在于终端市场需求增长慢于预期，促使企业实施降价，以加速库存出清。从2020年到2022年中期，整个DRAM行业处于上升期。

在此期间，韩国领先企业等国际企业停止了部分DDR3产品的生产，并将生产线转移到逻辑芯片产品上，导致客户囤积库存，导致DDR3价格上涨。从2022年下半年开始，终端市场需求减弱导致库存增加。为加快库存出清，国际领先企业相继降价，导致DDR3价格下降。DRAM产业进入下行週期。2023年至2024年，市场供需相对平衡，DDR3价格基本稳定，波动较小。2025年，随著国际领先企业陆续停产DDR4，将产能转向DDR5和HBM等利润率更高的产品，市场供应急剧下降，推动DRAM行业进入又一个上升週期。随著客户需求的恢复，DDR3价格也有所上涨，乃由于仅中国製造商保留大规模供应能力。

在此背景下，利基DRAM一直呈现出週期性波动。2013年下半年，利基DRAM价格见顶，随后进入长达数年的下行週期，直至2016年上半年触底。从2016年下半年开始，价格进入复甦阶段，于2017年底达到新週期高点，随后再次下跌，并在2019年底触及另一个低谷，并在该水平维持了数月。2020年中，利基DRAM价格开始另一轮反弹，于2021年中见顶，随后进入新的下行週期。

领先製造商已将其业务重心转向AI市场所需的高端DRAM产品（如DDR5和HBM），并加速退出利基DRAM领域。由于三大厂商的战略转向直接引发了供应急剧收缩，推动利基DRAM价格自2025年以来快速飆升。此外，三大厂商退出所导致的长期供应收缩，预计将显著改变利基DRAM市场传统的週期性动态。最终，供需将达到平衡，预计价格将在长期内相对稳定。在此背景下，对本集团可持续发展及流动性的影响总体上属正面，因为价格上涨和供应收缩提升了盈利能力和订单能见度，支持经营现金流量和存货週转天数的改善。

作为生产DRAM的关键原材料，12英吋晶圆在2021年至2025年期间经歷价格波动。内存芯片的核心成本源于晶圆，晶圆的成本受到规格参数、工艺类型、採购规模等多种因素的影响。自2022年以来，随著终端市场需求减弱和库存水平飆升，晶圆价格有所下降。从2023年到2024年，供需达到相对平衡。晶圆的价格趋势与DRAM行业週期相关，受供需动态和产能变化的影响。