高带宽堆叠DRAM行业市场驱动力及投资趋势
思瀚产业研究院    2026-09-11

在过去二十年中，处理器性能持续快速提升，而内存性能的增长则相对较小。这一差距导致了「性能落差」，形成了限制高性能处理器的存储瓶颈。这项挑战在人工智能计算领域尤為严峻。堆叠技术允许将多个内存芯片垂直堆叠，显著提升数据传输频宽与存储密度。这已成為突破DRAM性能瓶颈及满足未来计算需求的关键解决方案。

高带宽堆叠DRAM的定义

高带宽堆叠DRAM依赖於堆叠技术。其為一种先进封装集成解决方案，通过TSV和混合键合等封装级堆叠工艺，实现多层内存芯片的立体互连。凭藉超宽总线和堆叠结构，该技术可交付高容量、高带宽内存性能，有效缓解处理器与内存间的带宽瓶颈，实现人工智能应用集成度、性能与能效的同步提升。目前，HBM和堆叠晶圆是实现高带宽堆叠DRAM的两条技术路径。HBM通过TSV和微凸点互连技术堆叠多个DRAM裸片层，实现超高带宽，支持跨层并行数据传输。堆叠晶圆通过混合键合技术将逻辑晶圆与DRAM晶圆垂直堆叠，支持近存计算，实现更高带宽和更低功耗。

全球高带宽堆叠DRAM市场规模分析与预测

在人工智能產业的爆发式增长推动下，高带宽堆叠DRAM市场增速将显著超越DRAM整体市场。按收入计，全球高带宽堆叠DRAM市场规模由2021年的人民币123亿元增长至2025年的人民币2,176亿元，复合年增长率為105.1%。在人工智能技术创新和应用场景的扩张推动下，预计2025年至2030年全球高带宽堆叠DRAM市场规模将以26.2%的复合年增长率快速增长至人民币6,969亿元。

高带宽堆叠DRAM行业市场驱动力及趋势

人工智能算力需求激增驱动市场需求

生成式人工智能与大模型技术正推动全球算力需求攀升。自2024年至2029年间，全球算力预计将增长两倍，人工智能服务器出货量将翻番。高带宽、低延迟的内存对人工智能训练和推理至关重要。凭藉高带宽与低功耗特性，高带宽堆叠DRAM已成為人工智能服务器的核心组件，使得人工智能服务器能够快速存取和处理海量数据，加速训练与推理进程。

本土化发展

目前，高带宽堆叠DRAM的供应由国际企业主导。随着国际贸易衝突加剧高带宽堆叠DRAM供应问题，中国正在通过不断增加研发投入以及政策鼓励推动高带宽堆叠DRAM的本土化发展。近期多家本土DRAM企业已公佈高带宽堆叠DRAM的研发成果。预计本土高带宽堆叠DRAM研发将在不久的将来实现突破。