半导体功率器件行业技术水平及在产业链中地位和作用
思瀚产业研究院    2023-10-16

半导体功率器件行业技术水平及特点自上世纪 70 年代 MOSFET 诞生以来，经历了平面 MOSFET、TrenchMOSFET、SGT MOSFET、超级结 MOSFET 和第三代宽禁带材料的演变过程，功率 MOSFET 的技术迭代方向主要为器件结构设计、晶圆制作工艺创新和封测方案创新及材料变更等，以实现器件的高性能特性，如高频率、高功率、低损耗、耐高压、耐高温等。

从行业技术和性能发展来看，半导体功率器件结构朝复杂化演进，半导体衬底材料朝大尺寸和新材料方向发展；由于不同结构和不同衬底材料的半导体功率器件电学性能和成本各有差异，在不同应用场景各具优势，因此半导体功率器件市场呈现多器件结构和多衬底材料共存的特点。思瀚发布《2023-2028年中国半导体功率器件行业市场现状及发展前景研究报告》

半导体功率器件产业链上游主要涉及原材料、设备等供应环节，包括晶圆、光刻机、引线框架、宽禁带材料及其他辅助材料的供应；中游主要是半导体功率器件研发设计、生产制造、封装测试等生产制造环节；下游应用市场涵盖不同应用领域，包括新能源、数据中心、服务器及通信电源、工控自动化和消费电子等。