存储器产品对存储控制芯片的依赖性不断加强
思瀚产业研究院    2023-12-15

存储颗粒由于受器件特点等因素影响，可靠性随着使用时间的增加而逐渐降低。存储控制芯片作为存储器产品不可或缺的组成部分，可实现存储颗粒的均衡使用、有效延长存储颗粒的使用寿命、提高存储颗粒的数据存储性能。因此，存储控制芯片公司与存储颗粒厂、存储模组厂的紧密合作可加快新型颗粒及新型存储器产品的上市时间。

由于 NAND FLASH 工艺制程、堆叠层数和架构快速升级，NAND FLASH技术难度越来越高，存储密度不断提高，使得存储颗粒中的数据错误或数据丢失的概率显著增加，使用寿命也快速下降。以架构升级为例，按照每个存储单元可存储数位量不同可分为 SLC、MLC、TLC、QLC 等，TLC 架构虽单元容量为 SLC架构存储颗粒的 3 倍，但其使用寿命（即可擦写次数）仅为 SLC 的 1/20，可靠性也同步降低，对数据纠错要求（ECC）从 1~4bit 增加到 72bit。

NAND FLASH 的技术发展特点，决定了存储颗粒在应用时对存储控制芯片的要求越来越高，依赖性也越来越强，对存储控制技术和存储控制芯片设计能力提出了更高的要求。

存储颗粒厂需要与存储控制芯片公司达成深度合作，邀请存储控制芯片公司更早、更深入地参与对新型存储颗粒的协议标准制定、特性定义等环节中，探索相应存储控制技术和应用落地的可行性、反馈样品测试结果并提出分析和优化建议，尽快研发形成与之配套的存储控制芯片设计方案、固件算法、量产工具等，从而高效实现对新型存储颗粒的商业化应用。