芯片制程日趋缩小对刻蚀工艺和大直径硅材料制造技术提出更高要求
思瀚产业研究院    2023-09-07

国际先进集成电路制造厂商的先进制程工艺取得突破：三星电子于 2022 年 6 月宣布实现全球首批 3nm 制程芯片出货；台积电于 2022 年 12月宣布 3nm 工艺量产，2nm 制程产品将于 2024 年开始风险试产并计划在 2025年实现量产；英特尔预计其 3nm 制程（Intel 3）将于 2023 年下半年准备生产，2nm 制程（Intel 20A）将于 2024年上半年准备量产。

半导体加工制程不断进步，12 英寸集成电路产品的设计线宽越来越窄，因此沟槽也相应变窄，需要更高的刻蚀精度。

更高的刻蚀精度对 12 英寸硅片表面的温度、刻蚀气体浓度、材料性质提出更高的均匀性要求，采用更大的腔体和更大的上电极、下电极，更容易确保 12 英寸硅片面内各项工艺对均匀性的要求。因此，目前国际领先刻蚀机厂商的最新机型，都在向着大型化方向发展。

随着以上技术工艺发展，更大尺寸的硅电极及其所需的上游材料——更大直径的大直径硅材料（16 英寸以上）的需求也将随之增加。