非挥发存储器，进一步增强高速、低功耗、低成本、高稳定性指标
思瀚产业研究院    2023-09-09

EEPROM 方面，目前主力工艺节点在 0.13um，各厂家也积极推进先进制程的工程实现，以期获得成本和可靠性的持续优化。消费类电子市场的中小容量 EEPROM 的需求已经过巅峰，需求量预估会有所下降。

高可靠要求的领域（如 变频电机、仪表、汽车电子、新能源系统、工控等）对 EEPROM 的需求量也会 持续增加，产品需求向更高可靠性发展。 NOR Flash 方面，目前主流的 ETOX 架构演进至 55nm/50nm 工艺节点，仍 在向 50nm、4Xnm 工艺节点演进，但后续迭代速度将逐步减缓。

非 ETOX 架构 的 NOR Flash 架构及新型器件的存储器仍在不断摸索中，但新产品可靠性、量产 稳定性及成本优化程度还需加强。NOR Flash 的产品规格持续向高速、低功耗、 高可靠方向发展。

网络通讯（5G 基站、PON、CPE）、手机模组（屏模组，触 控模组、人脸识别模组等）、物联网 IoT（WiFi、BLE、Zigbee、4G LTE 等）、 安防监控、电脑及周边设备、可穿戴设备（手环、手表、TWS 耳机）等应用需 求量巨大且增量持续增加，NOR Flash 的市场前景可期，但价格竞争也会较激烈。

SLC NAND Flash 方面，在国产新制程量产普及以后，产品成本及产能进一 步优化，SLC NAND Flash 产品也将在更多的应用领域占据更多的份额，如网络通讯、机顶盒、可穿戴设备、安防监控产品应用中，SLC NAND FLASH 的搭配份额将会持续增加，智能家居、工业控制、5G 网络、物联网设备、大型拼接屏 等市场的 SLC NAND Flash 需求也会增加。

随着嵌入式设备对存储芯片的容量提出了越来越高的要求，部分领域 NAND Flash 已呈现出替代 NOR Flash 承担程序 代码存储应用的趋势。