(1)项目基本情况
本项目以晶合集成已拥有的110nm制程节点领域的微控制器技术和研发经验为基础,进一步开发55纳米及40纳米微控制器技术,开发元件包含:可供微控制器使用的低功耗核心低压元件(1.1V),以及核心组件硅智材-多次性可编程(MTP)及嵌入式非挥发性记忆体(eFlash)等,并在平台上导入多种嵌入式非挥发性记忆体IP,包含多次性可编程技术,嵌入式电可擦除只读存储器技术和嵌入式闪存技术。
平台开发完成后,预计项目完成后,公司将可以提供性能、功耗、耐久性、资料保存性能等指标良好的中高端微控制器芯片。
上述研发项目完成后,公司将具备生产微控制器芯片的技术能力,终端应用包括车用电子、智能家居等。
(2)项目投资概算
本项目将组建约100人的研发团队,总投资为3.53亿元,主要包括主机台设备投资、测试软硬件费用和人力费用。
(3)项目周期和时间进度
本项目预计于2023年第三季度开始实施,具体时间节点如下:
2023年第三季度:微控制器芯片工艺平台项目启动
2026年第二季度:完成 40纳米微控制器工艺平台开发