微波硅基芯片电容器市场分析
思瀚产业研究院    2023-11-25

IPD（Integrated Passive Devices 集成无源器件）是一种基于薄膜的集成无源器件技术，其本质是基于硅或玻璃的无源器件集成技术，是为了迎合无源系统小型化而产生的技术，具有布线密度高、体积小、重量轻、集成度高，可集成多种器件实现不同功能、高频特性好及可用于微波及毫米波领域等优点。

随着半导体制造能力的提升，从亚微米进入到纳米阶段，主动式电子元件的集成度随之大幅提升，相应的搭配主动式元件的无源集成元件需求量也迅速增加。据统计，随着通信系统使用的无源元件越来越多，目前电子元件基本采用表面贴装方式，占据着 90%多的系统元件、80%多的系统电路板面积。

其中硅基集成无源器件是在硅基板上利用晶圆代工厂的工艺，采用光刻技术蚀刻出不同图形，形成不同的器件，从而实现各种无源元件如电阻、电容、电感、滤波器、耦合器等的高密度集成，这种方式可以节省电路板空间，实现电性能更好、成本更低、IP 保护、产品链供应和可靠性更好。

一方面，通信设备的小型化、高性能、低成本等要求将推动硅基集无源器件市场呈现出巨大商机；另一方面，对于无线通信的下一代技术，需要支持更高的频段，以推动对其他微型组件的需求，而 IPD 可以为小型化提供了经济高效的解决方案，将增加 IPD 技术在电路中的采用；

此外，硅基集成无源器件的集成将有助于减少电信基础设施产品的尺寸和功耗，因此在开发与 5G 兼容的滤波器和双工器等射频模块产品过程中运用硅基集成无源器件和 IPD 技术至关重要。集成无源器件（IPD）市场预计将在 2031 年达到约 40 亿美元，预计年复合增长率为 10%。

处理器的嵌入式去耦电容（即硅基电容器）是采用 IPD 技术、通过先进 3D集成实现的一类元器件。《中国电子元器件“十四五”发展规划》提出“加快硅电容器等采用半导体工艺的尖端电容器技术的研发和产业化进度”。硅电容器作为“尖端电容器”，具有更小的介质损耗、更好的温度稳定性、更高的使用频率（最高可达 100GHz 以上）等优点。预计 2031 年全球硅电容器的销售额将达到 26.50亿美元。