首 页
研究报告

医疗健康信息技术装备制造汽车及零部件文体教育现代服务业金融保险旅游酒店绿色环保能源电力化工新材料房地产建筑建材交通运输社消零售轻工业家电数码产品现代农业投资环境

产业规划

产业规划专题产业规划案例

可研报告

可研报告专题可研报告案例

商业计划书

商业计划书专题商业计划书案例

园区规划

园区规划专题园区规划案例

大健康

大健康专题大健康案例

行业新闻

产业新闻产业资讯产业投资产业数据产业科技产业政策

关于我们

公司简介发展历程品质保证公司新闻

当前位置:思瀚首页 >> 行业新闻 >>  产业投资

面向通信市场的高性能 SOI 射频芯片开发及产业化项目
思瀚产业研究院    2023-12-15

1、项目概况

项目主要建设内容为建设“面向通信市场的高性能 SOI 射频芯片开发及产业化项目”,由宁波奥拉半导体股份有限公司深圳分公司承建,通过引进先进开发工具和软件程序,建立先进工艺平台,完善研发环境,开发高性能全 SOI 单/双通道射频前端模组、高性能 Sub-7G SOI 波束成形器、通信 SOI 毫米波波束成形器等产品,以顺应行业发展趋势,丰富产品应用场景,满足公司的业务发展需求。

2、资金概况

本项目总投资为 23,108.81 万元。

3、项目实施进度安排

本项目建设实施进度取决于资金到位的时间和项目各工程进展程度。按照国家关于加强建设项目工程质量管理的有关规定,本项目要严格执行建设程序,确保建设期工作质量。

根据以上要求,并结合实际情况,本项目建设期拟定为 3 年。项目进度计划内容包括项目前期准备、设计与装修、设备采购、安装与调试、人员招聘与培训、产品及技术研发等。

免责声明:
1.本站部分文章为转载,其目的在于传播更多信息,我们不对其准确性、完整性、及时性、有效性和适用性等任何的陈述和保证。本文仅代表作者本人观点,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。
2.思瀚研究院一贯高度重视知识产权保护并遵守中国各项知识产权法律。如涉及文章内容、版权等问题,我们将及时沟通与处理。