晶圆制备包括衬底制备和外延生长两大环节,衬底是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片,外延是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程。由于新生单晶层按照衬底晶相生长,从而被称之为外延层,而经过外延生长的晶圆被称为外延片。
外延生长工艺设计的主要设备按照外延材料及其状态可分为金属有机化合物化学气相外延设备(MOCVD),高温化学气相外延设备(HTCVD,包括 SiC外延设备、Si 外延设备)和分子束外延设备(MBE)。
根据 Gartner 数据,2022 年全球 MOCVD 设备市场规模为 5.66 亿美元,HTCVD 设备市场规模为 18.69 亿美元。