发展半导体掩膜版核心技术，配套我国半导体制造业的国产化进程
思瀚产业研究院    2024-05-29

2020 年 8 月 4 日，国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，继续加大对集成电路高端制程的政策扶持力度，大力发展高端国产集成电路制造能力的方向十分明确。

以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体以其高频、高效、高功率、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点，2023年我国已基本完成第三代半导体技术从小批量研发向规模化、商业化生产的成功跨越。

我国集成电路产业正处于关键发展期，国际贸易的不确定因素以及新冠疫情加速了全球半导体产业链的重构，为实现核心技术和全产业链环节的自主可控，上游关键原材料的国产化势在必行。半导体掩膜版技术壁垒高，工艺难度大，长期被福尼克斯等国外龙头企业所垄断。国内的掩膜版企业主要生产的是显示用掩膜版，在半导体掩膜版领域，与国际领先企业还有着明显的差距。