算力建设方兴未艾，PCB 和存储景气周期有望持续
思瀚产业研究院    2026-02-13

算力加速发展推动AI PCB技术升级，提升高多层板及HDI等高端PCB需求。AI算力建设加速，服务器及架构迭代升级，英伟达等芯片巨头持续推出Blackwell系列等先进GPU架构，同时谷歌、Meta等科技巨头加速布局自研ASIC芯片领域，二者共同倒逼PCB在层数设计、材料选型及工艺精度等方面全面升级。

以AI服务器为例，GPU板组扩容使PCB层数从常规8-12层向16+层演进，英伟达GB200的Blackwell架构GPU更需20层以上多层HDI板匹配其超高算力，且均需采用低损耗覆铜板确保信号完整性；CPO技术渗透催生对HDI板及刚挠结合板的需求，ASIC芯片的先进封装技术如FC-BGA等，也对PCB的高频信号传输性能、低损耗材料特性及多层结构稳定性提出全新挑战，而HDI板凭借高布线密度等优势成为支撑复杂芯片功能的优选方案，整体显著提升了PCB行业的制造难度和价值量。

高多层板及HDI市场表现较好，增速相对较快。根据Prismark数据统计，

1）高多层板市场：2024年，高多层板市场（18+层）表现尤为亮眼，受益于AI服务器及高速网络需求强劲，成为PCB市场中增长最快的细分领域。AI与高速网络需求推动超高层数多层板市场增长40.3%，8-16层（+4.9%）及4-6层（+2.0%）产值增幅相对温和。

2）HDI市场：得益于AI服务器、高速网络、卫星通信及智能手机应用的强劲需求，2024年，全球HDI产值大幅增长2024 18.8%年，低端 。

HDI产品价格也实现两位数上调，完成价格体系更新。HDI细分市场预计在2025年有望实现10.4%的增长，这得益于对AI服务器、高速光模块（400G、800G）、卫星通信和AI边缘设备的需求扩张。3）封装基板市场：受需求、库存积压及平均售价严重侵蚀影响，2024年，封装基板细分市场的总体产值仅微增0.8%。2024年，FCBGA基板市场因价格大幅下跌而承压，相比之下，BT类基板市场表现强劲，实现8.1%的年增长率。封装基板市场于2023年触及周期底部，2024年虽呈现环比逐步改善态势，但市场复苏力度弱于预期。随着2025年库存逐步回归正常水平，预计复苏进程将持续推进。

4）FPC软板市场：受智能手机需求支撑，2024年FPC销售额增长2.6%。苹果出货量维持稳健，华为在中国高端移动市场的份额有所回升，预计2025年FPC软板产值将实现3.6%的小幅增长。

AI算力建设高景气，推动全球PCB行业规模稳步增长。人工智能服务器及数据中心高速网络设备，是2024年PCB及封装基板市场最核心的增长引擎，持续推动高端PCB产品需求扩张。根据Prismark数据统计，2024年全球PCB产值为736亿美元，同比增长5.8%；预计2025年产值达到786亿美元，同比增长6.8%；预计2029年全球PCB市场规模达946.61亿美元，2024-2029年年均复合增长率预计为5.2%。

我国PCB行业产值全球领先。据Prismark数据统计，预计2025年，我国PCB行业同比增长率达8.5%，其中18层及以上多层板的增长表现尤为强劲，同比增长率预计为69.4%，有望推动我国在该细分市场的份额突破50%；同时，我国在高密度互连（HDI）板与柔性电路领域也呈现较好的增长态势 。展望后市，高多层板及HDI等高端PCB，以及大尺寸先进基板的需求有望攀升，成为驱动全球PCB市场发展的核心力量。在此期间，我国仍将以显著优势维持全球PCB最大生产地区的地位，其产量占全球总产量的比重将超过一半。据Prismark数据预测，从全球区域增长格局来看，东南亚地区有望成为增

国内主流PCB厂商资本开支加速，积极扩充HDI、高多层板等高端PCB产能。东山精密、胜宏科技、深南电路、沪电股份、生益电子和景旺电子等国内主流PCB厂商资本开支加速，积极扩充HDI、高多层板等高端PCB产能，以满足客户对高速运算服务器、人工智能等新兴计算场景对高端印制电路板的中长期需求。

国内主流 PCB 厂商扩产计划

东山精密 高端PCB： 于2025年7月25日召开第六届董事会第二十四次会议，审议通过《关于投资建设高端印制电路板项目的议案》，同意公司全资子公司超毅集团（香港）有限公司或其子公司投资建设高端印制电路板项目，以满足客户在高速运算服务器、人工智能等新兴场景对高端印制电路板的中长期需求。项目投资金额预计不超过10亿美元，主要用于现有产能的提升及新产能的建设。

胜宏科技 HDI、高多层板：越南胜宏人工智能HDI项目，预计总投资181,547.67万元，建设期3年；第三年开始分步投产，至第五年全部达产。项目地点位于越南北宁省，聚焦人工智能用高阶HDI产品生产，计划年产能15万平方米。泰国高多层印制线路板项目，预计总投资140,207.90万元，建设期2年；第三年全部达产。项目地点位于泰国大城府，围绕服务器、交换机、消费电子等领域需求建设高多层PCB产品生产线，计划年产能150万平方米。

深南电路 HDI、高多层板：PCB新增的产能主要来自于两个方面，一方面公司通过对现有成熟PCB工厂进行技术改造和升级；另一方面，公司有序推进南通四期项目及泰国工厂建设，南通四期项目预计今年四季度连线，泰国工厂目前已连线。

深南电路在泰国工厂总投资额为12.74亿元人民币/等值外币。泰国工厂将具备高多层、HDI等PCB工艺技术能力，其建设有利于公司进一步开拓海外市场，满足国际客户需求，完善产品在全球市场的供应能力。

沪电股份 高端PCB： 公司近两年加快资本开支，2025年上半年财报现金流量表中购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金约13.88亿。除了连续实施技改扩容外，公司在2024年Q4规划投资约43亿新建人工智能芯片配套高端印制电路板扩产项目已于2025年6月下旬开工建设，预期将在2026年下半年开始试产并逐步提升产能。该项目的实施能进一步扩大公司的高端产品产能，并更好的配合满足客户对高速运算服务器、人工智能等新兴计算场景对高端印制电路板的中长期需求，增强公司核心竞争力，提高公司经济效益。

生益电子 高多层板：公司于2025年3月26日召开第三届董事会第二十一次会议及第三届监事会第十二次会议，审议通过了《关于变更募集资金投资项目的议案》。结合市场环境、行业发展趋势以及公司近两年来的投资项目情况和产能布局规划，为提高募集资金使用效率，更好地维护广大投资者利益，公司将原计划使用于“吉安工厂（二期）多层印制电路板建设项目”的募集资金全部变更用于“智能算力中心高多层高密互连电路板项目一期”。

景旺电子 HDI： 公司于2025年8月22日召开第五届董事会第二次会议，审议通过了《关于珠海金湾基地扩产投资计划的议案》，同意使用自有资金或自筹资金人民币50亿元对景旺电子珠海金湾基地进行扩产投资，以满足AI算力、高速网络通讯、汽车智驾、AI端侧应用等领域全球客户的中长期、高标准需求，提升公司在高端产品的市场竞争优势。

覆铜板在PCB材料成本中占比较大。从上游原材料情况来看，PCB成本结构中，占比最高的是覆铜板，达27.30%。其次分别为半固化片、人工费用、金盐、铜球、铜箔、干膜、油墨，占比分别为13.8%、9.53%、3.8%、1.4%、1.39%、1.37%、1.23%。

覆铜板有望受益于PCB扩产需求，由于原材料价格上涨叠加需求旺盛，近期CCL产品持续涨价。覆铜板在PCB材料成本中占比较大，有望充分受益于PCB扩产需求。据中商产业研究院数据统计，2024年中国覆铜板产量约为10.9亿平方米，同比增长6.9%，预计2025年中国覆铜板产量将增长至11.7亿平方米，同比有望增长7.3%。

价格趋势方面，以覆铜板行业龙头建滔为例，2025年8月公司率先针对CEM-1、FR-4等中低阶CCL产品涨价；2025年12月1日，公司又对CEM系列产品调涨5%，中高阶FR-4与PP（半固化片）上调10%；2025年12月26日，再对所有材料价格统一上调10%。短期内三次提价，表明CCL需求旺盛，与下游PCB厂商议价较为顺利。同时，涨价潮已逐步从行业龙头向全行业蔓延，产品涨价与旺盛的出货需求有望推动CCL企业盈利能力提升。

全球PCB设备市场规模稳步增长，我国PCB设备市场规模较大。根据Prismark和灼识咨询数据统计，全球PCB专用设备市场规模由2020年的约58.4亿美元增至2024年的约70.85亿美元，年复合增长率为4.9%，预计到2029年将以8.7%的年复合增长率增长，达到约107.65亿美元。其中，我国PCB专用设备行业市场规模由2020年的约33.06亿美元增至2024年的约41.11亿美元，2020年至2024年的年复合增长率为5.6%，且我国PCB专用设备行业市场规模预计到2029年有望以8.4%的年复合增长率增长，达到约61.39亿美元。

根据Prismark和灼识咨询数据统计，截至2024年，全球PCB专用设备市场方面，中国、中国台湾、日本、韩国与美洲等地区合计占据全球市场约89.5%的份额，2020-2024年各区域年复合增长率分别为5.6%、4.6%、0.9%、2.1%及6.2%。同时，全球PCB专用设备行业正经历向新兴市场的战略转变，东南亚市场是该转变的主要枢纽，由成本竞争力、有利的贸易政策及区域供应链弹性推动，有望促使东南亚及其他新兴市场的PCB专用设备市场未来实现更快的增长。

PCB主要生产设备包括曝光设备、压合设备、钻孔设备、电镀设备、检测设备、成型设备、贴附设备等。PCB专用设备行业价值链主要由上游供应商、中游制造商及下游参与者构成。上游供应商为PCB专用生产设备提供零部件及材料，并提供自动化控制、激光技术等核心技术；中游为负责研发、生产及销售PCB专用生产设备的制造商；下游主要是PCB制造商，作为中游制造商的直接客户，其生产的PCB产品广泛应用于服务器及存储、汽车电子、手机、计算机、消费电子等领域。PCB主要生产设备包括曝光设备、压合设备、钻孔设备、电镀设备、检测设备、成型设备、贴附设备等。

钻孔设备及曝光设备价值量较大，预计未来增速较高。根据Prismark和灼识咨询数据统计，钻孔设备及曝光设备是PCB专用设备中价值相对较高，且在整个生产流程中具有关键重要性的两大类别，占整体设备市场规模分别约21%和17%。2024年全球钻孔设备及曝光设备市场规模分别为14.70亿美元和12.04亿美元，2025年有望分别增长至16.37亿美元和13.39亿美元，同比增速分别为11.4%和11.2%。根据Prismark和灼识咨询预测，2024-2029年钻孔设备及曝光设备在各环节设备中增速相对较高，预计年复合增长率分别为10.3%和10.0%。

2、AI 推动存储技术升级，行业供需缺口有望驱动景气周期持续

当前存储芯片有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期。本轮存储行业的上行周期，主要由AI需求拉动、存储技术迭代进一步加速、供给端产能调控策略升级等因素共同驱动，持续性或更强。

一是需求拉动力更强，历史周期以手机、电脑等消费终端为核心驱动力，消费终端疲弱将削弱上游存储需求，而本轮周期则由AI需求拉动，尽管同期传统消费终端出货疲弱,但AI终端设备加速渗透，需求持续旺盛。

二是存储技术迭代进一步加速，匹配AI算力的HBM产品由DRAM技术升级迭代而来，并迅速迭代至HBM3E、HBM4等，技术代差导致高端产品溢价持续扩大，存储厂商调控产能优先满足高端产品需求的意愿更强。

三是供给端产能调控策略升级，历史周期主要由供给端厂商减产去库存以推动供需平衡，本轮周期中供给端产能调控策略升级，存储厂商主动调控产能至高端领域，导致中低端产品供应缺口加大。由于AI发展浪潮持续推进，需求端景气高企，而短期内供给端新增产能有限，供需缺口有望维持，因此本轮存储行业涨价持续性或更强。

全球云服务厂商资本开支或加速，有望推动服务器及上游部件需求增长。全球八大核心云端服务提供商（CSPs）涵盖美系Google、AWS（亚马逊云科技）、Meta、Microsoft（微软）、Oracle（甲骨文）与中系Tencent（腾讯）、Alibaba（阿里巴巴）、Baidu（百度），2025年以来均加大资本支出投入以响应AI数据中心与云端运算的爆发式需求。

根据TrendForce集邦咨询统计，Google上调2025年资本支出至910-930亿美元，Meta上修至700-720亿美元且2026年将持续大幅增长，Amazon调升开支预估至1250亿美元，Microsoft虽未披露完整年度数据但预期2026财年支出将高于2025年。根据TrendForce集邦咨询预测，2025年全球八大CSPs资本支出总额年增率预计为65%，并预期2026年行业仍将维持积极投资节奏，合计资本支出将突破6000亿美元，年增率达40%。资本支出的持续扩张有望全面带动AI服务器需求升温，进而拉动GPU/ASIC、存储器、封装材料等上游供应链，以及液冷散热模块、电源供应、ODM组装等下游系统环节同步扩张，推动AI硬件生态链进入新一轮结构性成长周期。

服务器出货稳步增长，AI服务器出货有望维持较高增速。科技企业依托丰富的AI模型生态，有效提升了服务器资源利用率与云服务客户黏性，对云计算的发展及应用形成正反馈，而AI服务器也已成为驱动全球存储市场增长的重要引擎之一。据CFM数据，2024年全球服务器市场规模增长3.2%至1290万台，其中通用服务器台数为1150万台、同比基本持平，AI服务器规模约140万台、同比增长56%；预计2025年全球服务器市场出货量将达1340万台，同比增长约3.9%，通用服务器台数预计为1160万台、与2024年基本持平，AI服务器台数则有望达到180万台、同比增长29%。

服务器存储占比有望进一步提升。大型云服务商积极投资AI基础设施以部署存算力资源。NAND领域，算力中心积极应用超高容量eSSD提升性能、降低能耗，互联网企业对PCIe5.0 eSSD需求有望增加，32TB及以上QLC eSSD在服务器市场的渗透率持续提升，带动服务器存储位元需求大幅攀升，2024年全球存储应用市场中服务器NAND应用占比达30%（2023年为16%），预计2025年将维持30%。

DRAM方面，随着支持DDR5的处理器平台渗透率提升、搭载AI加速芯片的 AI服务器出货放量，服务器DDR5及HBM需求快速增长，2024年服务器DRAM应用占比达34%（2023年为32%），预计2025年将升至36%，在64GB及以上DDR5及HBM3e出货增长带动下，2025年服务器存储位元需求同比增长将超20%；而2024-2025年全球手机及PC出货量持稳，端侧单机容量增长是消费端存储需求增长的有效动力，高端化趋势下终端均价提升也给相关厂商带来新机遇。总体来看，近两年服务器存储需求增幅领涨各下游应用市场，存储原厂将新增产能和资本支出向高性能eSSD、DDR5及HBM倾斜，AI需求推动存储技术和产品迭代，2025年NAND和DRAM容量需求预计分别增长12%和15%。

DRAM和NAND Flash占据存储市场大部分份额。从2025年Q3来看，据CFM闪存市场数据，2025年三季度全球DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元，NAND市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元，三季度全球存储市场规模连续两季度成长至584.59亿美元，创造季度历史新高。其中，DRAM市场占比68.5%，NAND Flash占比31.5%，二者占据存储市场大部分份额，其他类型如Nor Flash则占比较低。

AI驱动HBM需求高增，HBM市场规模持续增长。传统冯诺依曼计算架构下的“存储墙”瓶颈已阻碍服务器性能提升，为此各大厂商推出了非易失性存储、存算一体、CXL、GDDR等方案，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）也是其中之一。HBM具备高带宽、多I/O数量、低功耗等特性，随着AI技术发展与应用对存力和算力的要求提升，HBM市场自2024年起进入爆发增长阶段。据 闪存市场数据，2024年全球HBM市场规模达到160亿美元，同比增长256%，约占整体DRAM市场的16%；预计2025年HBM市场规模有望达到300亿美元，约占全球DRAM市场的28%。

主流AI加速卡多数采用HBM配置方案。当前AI芯片市场中，GPU、ASIC与FPGA三大技术路线虽仍存在博弈，但在高带宽内存的选择上，HBM几乎是各技术路线的一致选项。据CFM统计，HBM3/2E是目前主流AI芯片采用的型号。随着英伟达GB300、AMD MI325X的相继推出，再加上其他市场参与者的平台迭代，HBM3E的市场份额有望得到提升。

存储大厂调整产能规划至HBM等高端环节，优化DRAM及NAND部分环节供需格局。DRAM市场方面，2024年底，SK海力士宣布计划将DDR4 DRAM产量削减至DRAM总产量的20%；2025年4月美光宣布停止为服务器提供传统 DDR4内存模块，将DDR4产能转向DDR5和HBM市场，以满足AI服务器和高性能计算的需求；三星宣布将开始逐步停止生产DDR4内存颗粒。大厂减产DDR4 DRAM，主要为补充DDR5和HBM产能，同时减少DDR4产品的竞争压力。NAND市场方面，美光、三星、海力士、铠侠均计划减产以调控供给量，推动闪存市场库存去化，以稳定产品价格，其中SK海力士正在进行技术迁移，以量产最新的238层和321层NAND产品。

DRAM方面，DRAM原厂停供DDR4使相关产品价格大幅上扬。为调整更多产能至具有更高利润空间的DDR5和HBM产品中，DRAM原厂自2024年第三季度以来相继宣布减产/转产LPDDR4X，2025年4月初原厂部分停产DDR4，使得现货市场相应LPDDR4X产品出现供应趋紧现象,存储现货市场服务器DDR4、行业内存条、渠道内存条报价均大幅上扬，甚至部分DDR4现货价已在2025年6月超过DDR5。截至2026年1月中旬，DDR4相关产品现货平均价仍处于上涨态势。

NAND Flash方面，原厂减产或停产亦推升NAND Flash产品价格。NAND供应端层面，受益于部分原厂MLC停产，MLC NAND资源价格呈爆发式增长，截至目前不同容量的MLCNAND Flash普遍价格大幅上涨，而256Gb TLC NAND Wafer也因多数主流产品已经或即将处于停产状态，其现货价格也被强势拉涨，或将带动相应的低容量eMMC成品价格上扬。

存储产值有望稳步增长。根据TrendForce集邦咨询预测，存储器产业产值有望逐年创新高，预估2026年达5516亿美元，2027年则有望再创高峰达8427亿美元，年增53%。DRAM市场方面，在DDR5需求拉升的带动下，DRAM 2025年第四季涨幅已达53-58%，预计2026年第一季或有60%以上涨幅，有望大幅推升DRAM年增产值至4043亿美元，年增率高达144%。NAND Flash市场方面，预估2026年第一季或有55-60%的季增幅，且涨势有望持续，同步推升2026年产值年增率来到112%，产值成长有望达到1473亿美元。

存储市场头部集中度较高，竞争格局较为稳定。1）DRAM市场方面，2025年Q3，三星凭借HBM出货量环比大增85%，叠加传统DRAM受益于涨价效应，整体DRAM业务收入创下历史新高，并重夺全球DRAM市场份额第一。具体来看，三星第三季度DRAM销售收入达139.42亿美元，环比增长29.6%，市场份额34.8%；SK 海力士以137.9亿美元的销售收入、12.4%的环比增速及34.4%的市场份额位列第二；

美光（2025年6月-8月季度）DRAM销售收入89.84亿美元，环比增长27.1%，市场份额22.4%，排名第三；南亚科技三季度DRAM销售收入6.3亿美元，环比大幅增长83.7%，市场份额1.6%；华邦电子同期销售收入2.22亿美元，环比增长21.5%，市场份额0.6%。2）NAND Flash市场方面，2025年Q3，三星以53.66亿美元的销售收入、20.7%的环比增速及29.1%的市场份额位居第一；SK海力士紧随其后，三季度销售收入35.36亿美元，环比增长5.8%，市场份额19.2%，排名第二；铠侠三季度销售收入达30.46亿美元，环比增长28.1%，以16.5%的市场份额位列第三；

西部数据实现23.08亿美元销售收入，环比增长21.4%，市场份额12.5%，排名第四；美光在2025年6月-8月的三季度内，NAND Flash销售收入为22.52亿美元，环比增长4.5%，市场份额12.2%，排名第五。

国内模组厂商毛利率回升，同时备货力度加大，有望受益于存储景气周期。2025年第三季度，国内存储模组厂商毛利率有所回升，同时备货力度持续加大，以江波龙、德明利、佰维存储为例，三家公司2025Q3存货合计为202亿元，同比增长34%，环比增长18%。在存储芯片涨价的景气周期下，存储模组价格有望跟随上涨，叠加下游消费终端产品需求平稳复苏，国内模组厂商盈利能力有望进一步改善。

存储景气周期有望推动存储厂商提升资本开支。DRAM市场方面，根据TrendForce集邦咨询，2026年，美光资本支出较为积极，计划投入135亿美元，年增23%，聚焦1 gamma制程渗透与TSV设备建置；SK海力士支出预计为205亿美元，年增17%，用于HBM4产能扩张；三星则投入200亿美元，年增11%，推进HBM的1C制程渗透并小幅增加P4L晶圆产能。NAND Flash领域，无DRAM业务的铠侠/闪迪扩产最积极，计划投45亿美元，年增41%；美光拟小幅增加NAND产能，专注G9制程与企业级SSD业务，资本支出年增63%；三星、SK海力士等则缩减或限制NAND支出，优先将投资转向HBM与DRAM领域。

半导体设备有望受益于存储资本开支扩张。根据SEMI数据，存储领域相关资本支出预计于2025年实现增长，并在2026年延续增长态势，主要得益于3D NAND堆叠技术的持续迭代与产能扩张的双重驱动，NAND设备市场在2023年经历大幅下滑后逐步复苏，2024年实现4.1%的小幅增长，2025年预计将迎来42.5%的增幅，市场规模有望达到137亿美元，2026年进一步增长9.7%至150亿美元；同时，DRAM设备市场表现强劲，2024年已同比增长40.2%至195亿美元，为支撑人工智能部署对高带宽存储器（HBM）的投资需求，2025年和2026年预计将分别实现6.4%和12.1%的稳步增长。