超薄芯片背道工艺开放式代工的经营模式
思瀚产业研究院    2022-08-12

目前无论国际企业还是国内企业，对于先进功率器件的背面工艺，主要采用IDM模式在自有芯片产线上建设，不过其内部也存在以下情况：

MOSFET领域的国际知名企业A公司，其8英寸芯片的加工采用代工方式，而其器件核心的背道工艺，则在上海单独建立了薄片/超薄片的背道加工产线，满足自有产品的需求。国内某知名功率半导体企业，其晶圆加工产线两条6英寸线和一条8英寸线，三条产线均是按照正面工艺分别加工，而6英寸、8英寸晶圆片的各类型背道工艺则有专门的工厂来实施。

对于先进功率器件，目前市场的主要份额还是被国际大公司所占有，国内的华虹NEC、华润微电子、杭州士兰微等近几年通过技术发展逐步进入，其中，只有华虹NEC、华润微电子（小部分）有相关“正面 + 背道”工艺的加工，能够以开放式代工面向市场释放应用。在这一领域，包括工业级/能源级/汽车级所使用的MOSFET、IGBT、SiC等器件，国内很多器件设计公司均在尝试涉足，但由于芯片加工条件所限，尤其是超薄芯片背道加工产能和技术所限，相关设计和工艺提升的进程一直进展缓慢。

在功率器件，尤其是先进功率器件的国产替代进程中，器件设计公司是创新最活跃的源头，也是功率器件依靠应用牵引进一步提升技术的核心力量之一。先进功率器件的工艺一直在不断创新发展中，其工艺技术与产品设计的结合具有一定的特异性，相对于较为标准和平台化的正面工艺，特别是基于背道工艺方面的创新发展，各家公司都将有自己独特的技术线路与工艺方式，这个方面也将形成设计公司的技术Know How，因此，需要有定制化的超薄芯片背道工艺产线条件来为设计公司提供研发中试和量产的基础条件。

先进功率器件正面工艺的代工需求，一方面，依靠专业的功率器件芯片代工厂来满足，但这部分现有产能资源很有限；另一方面，可以在MOS工艺集成电路代工线上实现，这方面的产能资源较为丰富，包括但不限于中芯国际、台积电、联电（和舰）、厦门联芯、韩国东部以及其它Foundry代工厂。

而先进功率器件的超薄芯片背面工艺加工就存在很大局限性，即便是开放式的功率器件代工厂，作为标准芯片代工产线，一方面，通常是以归一化的有限工艺平台来提供服务，这方面对需要创新研发或特色化的先进功率器件工艺带来极大的限制；另一方面，无论是华虹NEC还是华润微电子，其代工线是同时面向功率器件与MOS集成电路，基于功率器件的背道工艺产能具有较大局限性。

因此，对于具有持续产品创新需求的先进功率器件设计与应用的企业，迫切需要可为其提供定制化开放代工的超薄芯片背道加工产线及产能。