半导体激光器的制造涉及结构设计、外延片生长、芯片制备、器件和模组封装等环节，其中，结构设计需要从外延结构设计、芯片、器件的光学模拟到整体产品的热学、力学分析；外延片生长需对MOCVD设备的生长模式、气流分配、硬件结构等有深刻的理解，对外延片生长材料的物理性质、化学性质、光场分布、吸收损耗、测试表征等有充足的掌握，达到理论指导外延片生长的目的；芯片制造涉及掩膜、光刻、蚀刻、电镀、腔面钝化、腔面镀膜、解理等多重芯片工艺；

器件和模组的封装环节亦需要掌握热处理、光学整形等技术。总体来说，半导体激光器是技术含量非常高的行业，尤其在外延材料和芯片领域，需要有半导体学、材料学、物理学多学科复合知识和多年的制备工艺经验积累，目前国内半导体激光器产业中拥有外延、芯片和器件封装一体化开发能力公司较少，行业技术壁垒较高。

（2）人才壁垒

半导体激光器行业是技术密集型行业，研发周期长，产品精密度高，行业技术更新速度快，要求行业技术人员既掌握相关理论知识，又具备较高应用开发能力。目前国内高校培养的激光专业尤其半导体激光器芯片技术人才数量有限，高素质的人才队伍是企业研发实力的基础保障，也是企业的核心竞争力之一。

（3）资金壁垒

半导体激光器行业前期基础性研发投入较高，规模化生产所需的大量测试检验仪器、MOCVD（化学气相沉积）等高端生产工艺设备，亦需要大量的资金投入。同时，后续的技术更新和产品升级同样需要较大的研发投入和资金支持。因此，半导体激光器行业存在较高的资金壁垒。