半导体激光器行业技术水平及特点
思瀚产业研究院 华光光电    2023-09-22

半导体激光器的技术水平主要体现在波长、功率、电光转换效率和可靠性等方面。在波长方面，砷化镓基激光器的发光波长范围通常在 610nm 到 1300nm，企业能够实现的波长范围越广，其产品能够服务的应用场景越广阔。

目前，国内砷化镓基激光器芯片厂商主要产品波段在 780nm 到 1064nm 的近红外波段，主要应用于先进制造领域。公司自产芯片及巴条产品波长范围覆盖 635nm 到 1064nm，除先进制造领域外，还能够服务于测量传感、医疗健康等众多领域，应用场景较丰富。

在功率方面，行业内主要通过两种方式提高半导体激光器的输出功率，一是提高半导体激光器单个芯片的输出功率，二是增加半导体激光器单巴条的发光点个数。

以应用较广泛的 808nm 半导体激光器为例，目前单芯片产品的连续输出功率可达 15W，单巴条产品的脉冲输出功率可达 500W。以 915nm 半导体激光器为例，目前主流单芯片产品的连续输出功率可达 35W。

在电光转换效率方面，红外波段高功率半导体激光器最大电光转换效率可达70%以上。在可靠性方面，半导体激光器单芯片最长寿命可达 10 万小时；巴条叠阵连续工作寿命可达上万小时，微秒级脉冲工作寿命可达 3E9 次。