后摩尔时代,先进封装获重视
一方面,当前先进芯片发展面临“存储墙”“面积墙”“功耗墙”和“功能墙”,仅依靠先进制程无法解决,先进封装成为重要助力。另一方,随着工艺制程进入10nm以下,芯片设计成本快速提高。根据IBS的数据,16nm工艺的芯片设计成本为1.06亿美元,5nm增至5.42亿美元。同时,由于先进制程越来越接近物理极限,摩尔定律明显放缓,侧重封装技术的More than Moore路径越来越被重视。
“存储墙”:处理器算力超过存储芯片存取能力,导致 图:当前先进芯片发展面临“存储墙”“面积墙”“功耗墙”和“功能墙”综合算力被存储器制约。2000-2020年间处理器的峰值算力每两年增长3.1倍,而动态存储器的带宽每两年增长1.4倍,存储器的发展速度远落后于处理器,相差1.7倍。基于先进封装的近存计算是解决途径之一。
“面积墙”:芯片制程相同时,通过增大芯片面积可以集成更多的晶体管数量,从而提升芯片的性能。但单颗芯片尺寸受限于光刻机的光罩极限,且芯片制造良率随尺寸增大而降低,从而增加成本。当前先进的EUV光刻机的最大光罩面积为26 mm×33 mm。通过先进封装技术集成多颗芯片是解决“面积墙”的低成本主流方案。
“功耗墙”:近年来单个GPU和CPU的热设计功耗(TDP)逐年增大,由多个GPU芯片和HBM阵列组成的系统,其TDP可能突破万瓦级,热设计者将面临极大的挑战。
“功能墙”:单一衬底可实现的功能有限,可通过多芯片异质集成技术,将传感、存储、计算、通信等不同功能的元器件集成在一起。
根据Yole的预测,2023年全球先进封装营收为378亿美元,2029年增长到695亿美元,2023-2029年的CAGR达10.7%。其中2.5D/3D封装增速最快;高端封装市场规模将从2023年的43亿美元增长至2029年的280亿美元,CAGR达37%;先进封装领域资本开支将从2023年的99亿美元提高至2024年的115亿美元。
先进封装技术多样,目的是提高集成度和性能并降低成本
先进封装技术包括FO(扇出型封装)、WLCSP(晶圆级芯片规模封装)、FCCSP(倒装芯片级封装)、FCBGA(倒装芯片球栅阵列封装)、2.5D封装、3D封装、ED (芯片封装)、SiP(系统级封装)等。相比传统封装技术,先进封装由有线变为无线,从芯片级封装拓展至晶圆级封装,从单芯片封装拓展至多芯片封装,从2D封装拓展至2.5D/3D封装,从而缩小封装体积、增加I/O数、提高集成度和性能,并降低成本。
Chiplet(芯粒/小芯片)是后摩尔时代的重要路径,相比SoC,具有更高的灵活性、可扩展性和模块化,根据martket.us的预测,全球Chiplet市场规模将由2023年的31亿美元增长至2033年的1070亿美元,CAGR约42.5%。
晶圆厂和封测厂均积极布局先进封装,相互之间既有竞争也有合作
晶圆厂依靠前道工艺优势入局先进封装。先进封装,尤其是高端封装的实现越来越依赖前道技术,台积电、英特尔和三星等晶圆厂优势突出,凭借先进封装需求走高,2023年台积电、英特尔、三星的封装收入分别位列全球第三到第五。
台积电:2008年成立集成互连与封装技术整合部门,专门研究先进封装技术,重心发展扇出型封装InFO、2.5D封装CoWoS和3D封装SoIC。英伟达H100、A100、B100均采用CoWoS封装,在AI强劲需求背景下,台积电CoWoS产能持续紧张,除持续扩产外,台积电也积极与OSAT厂商合作。台积电表示未来只会专注最前沿的后道技术。
三星:提供2.5D封装I-Cube、3D封装X-Cube等,2022年12月在半导体业务部门内成立先进封装(AVP)业务团队,2024年7月AVP业务团队重组为AVP开发团队,以加强2.5D、3D等先进封装技术。
英特尔:提供2.5D封装EMIB、3D封装Foveros等。
OSAT厂商发力先进封装以获取价值增量。相比传统封装,先进封装不仅需求增速更高,在产业链中的价值占比也更高,传统OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Testing,委外半导体封测)大厂如日月光、长电科技等为了获取更高的市场份额和价值量,均在大力发展先进封装技术,2023年前六大OSAT厂商约41%资本开支投向了先进封装。
全球第三大OSAT厂商,拥有六大生产基地。长电科技成立于1972年,2015年成功收购星科金朋,目前是全球第三大OSAT厂商,在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心,在20多个国家和地区设有业务机构,可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持,产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用,包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。
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