存储持续涨价&两存上市在即，看好存储未来扩产持续性
思瀚产业研究院    2026-07-03

自2024年底以来，在AI大模型训练与推理算力需求爆发、全球数据中心服务器大规模扩容的强劲拉动下，存储芯片供需格局持续趋紧，DRAM与NAND Flash现货价格均进入快速上行通道。其中，DRAM涨幅尤为显著，DDR4（8Gb 2666Mbps）现货平均价由2024年底的约8.1美元飙升至2026年6月底约140美元，涨幅超过17倍；DDR5（16Gb）自2025年11月产生现货报价以来，价格由20美元快速上涨至2026年6月底的117.5美元，涨幅约4.9倍，新一代高速内存正加速渗透AI服务器市场，成为算力扩容的核心瓶颈。

NAND Flash同样呈现强势反弹，64Gb MLC现货价由2024年底的约4.3美元回升至2026年6月的约28.2美元，涨幅约6.5倍；32Gb MLC同期由约2.3美元上涨至14美元，涨幅约6.2倍。整体来看，随着AI算力基础设施建设方兴未艾，服务器对高带宽、大容量存储的依赖度显著提升，存储芯片作为算力核心组件，涨价逻辑有望延续。

长鑫存储营收持续扩大，根据公司招股说明书，2025年实现营收618亿元。随着产品品类增多&先进产品放量，长鑫存储2022-2025营收CAGR超100%，2026Q1营收508.1亿元，同比增长719%，环比增长23%。长鑫预计2026H1营收1100至1200亿元，预计同比增长约613%至677%，预计归母净利润500至570亿元，预计同比增长2244%至2544%。

先进产品突破&工艺提升&存储涨价带动长鑫业绩反转。随着公司工艺稳定、高毛利先进产品批量出货公司2025年实现扭亏为盈，2026Q1归母净利润大幅提升至近250亿元。

长鑫产能利用率长期维持高位，2025产能利用率达95.7%。2024年以来长鑫产能利用率维持超90%，2025产能利用率达95.7%，反映出下游需求持续旺盛，后续新建产能的落地节奏将成为关键。

长鑫资本开支持续维持高位。长鑫持续扩产&加大先进产能建设，长鑫构建资产现金支出2024年/2025年分别达712.3/497.4亿元。2024年资本开支处于较高水平，主要对应新增产线设备投入；2025年资本开支有所回落，但仍处于行业较高水平，反映出公司产能扩张与技术升级仍在持续推进。

中国头部存储厂商与国际龙头在产能上仍存在显著差距，后续扩产空间广阔。（1）NAND 端：三星与KioxiaSanDisk联合制造体系仍为全球前两大NAND产能平台。2026Q1两者12英寸月产能分别约37.5万片和40万片，而长江存储月产能仅约16万片，后续扩产空间广阔。（2）DRAM 端：2026Q1，三星、SK 海力士、美光三家12 英寸月产能分别为 64万片、56.5万片和 34.5万片；长鑫存储现有月产能约 29万片，仍具备显著扩产余地。长江存储&长鑫存储2026Q1全球NAND/DRAM存储器市占率分别仅为13%/8%，后续仍待突破。

2、 存储制程节点演进，带动设备投资额持续增长

龙头陆续实现先进制程的量产，后续进程有望加速。1）DRAM：SK海力士于2024年成功实现12层HBM3E的量产，并且其预计于2026年实现16层HBM4量产；2）NAND：我国长江存储2021年已实现128层量产，目前已完成232层3D NAND的量产，正在向3XX-4XX层突破；3）逻辑：台积电早在2020年就实现5nm的量产，目前可以量产2nm级别量产。

存储持续迭代，有望带动高价值先进设备加速放量。2031年逻辑制程将迈入 7A 时代，并采用CFET 技术，极大提升芯片性能与集成度；存储的NAND到2035年可实现2000层+，DRAM则由HBM4逐步升级，SK海力士预计2034年推出HBM6。

在相同产能下，集成电路设备投资量随制程节点先进程度提升而大幅增长。当技术节点向5nm甚至更小的方向升级时，集成电路的制造需要采用昂贵的极紫外光刻机（EUV），或多重模版工艺（重复多次刻蚀及薄膜沉积工序以实现更小的线宽），需要投入更多且先进的光刻机、刻蚀设备和薄膜沉积设备，带动投资规模提升。

（1）逻辑：以3nm技术节 点为例，每单位产能的建设需要约50万美元的资本开支投入，是14nm的两倍以上，28nm的3.5倍左右。（2）存储：DRAM方面,当DRAM制程达到10nm时，每千片晶圆月产能的设备投资额上升至9000万美元。NAND方面,以2015年2D NAND设备投资额为基准，2015年3D NAND设备投资额为其1.5倍，2021年3D NAND设备投资额为其2.2倍。

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