2026年半导体先进制程发展概况
思瀚产业研究院    2026-09-09

广义半导体制程，是指将晶圆加工为合格芯片的全流程标准化、可重复量产工艺与技术方案的总称，是半导体芯片规模化、高良率量产的核心基础。

半导体先进制程，是指通过制程线宽物理微缩、三维异构集成等技术路径，实现芯片性能提升、功耗优化、集成度跃升的高性能半导体制造工艺，是支撑半导体产业持续迭代升级的核心技术载体。当前先进制程演进中，逻辑芯片与存储芯片形成了差异化的核心技术路线。

逻辑芯片的先进制程水平，通常以晶体管栅极线宽对应的制程节点为核心衡量标准：制程节点越小，单位芯片面积内可集成的晶体管密度越高，芯片运算性能越强、功耗控制越优。当前全球逻辑芯片制程已完成 7-14 纳米节点的规模化量产，并已突破至 2-5 纳米水平；根据台积电公告，其 2 纳米制程产线已于 2025年第四季度开始量产，并布局了 A16、A14 制程，先进制程逻辑芯片未来即将进入 1X 埃米时代。

与逻辑芯片演进路径不同，存储芯片的先进制程主要以三维异构集成等为核心升级方向，通过垂直堆叠存储单元实现存储密度跃升，同步提升芯片性能与可靠性。在 NAND 领域，行业主流堆叠层数已从早期 24-32 层迭代至 64-128 层规模化量产；

2024 年 SK 海力士宣布量产 321 层 NAND 存储芯片；根据东京电子（TEL）预计，2026 年 NAND 堆叠层数将突破至 4XX 层级别；根据 SEMI 大半导体产业网 2025 年官方发布信息，国内存储芯片产线亦实现了重大技术突破，已经成功出货 294 层 NAND 存储芯片。

在 DRAM 领域，制程节点微缩仍在持续迭代，同时为匹配 AI 算力爆发带来的超高带宽需求，行业内通过三维异构集成等技术推出高带宽内存产品（High Bandwidth Memory，HBM），通过多颗 DRAM裸片的垂直堆叠，大幅提升内存带宽与综合性能。