分立器件封测技术未来发展趋势
思瀚产业研究院 蓝箭电子    2023-08-03

材料变革驱动封装技术发展。分立器件的发展离不开新材料、新工艺的不断研究与创新。随着第三代半导体材料碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等在半导 体行业应用，对封装技术带来新的挑战。为了提高分立器件的成品率和可靠性， 分立器件封测企业正在为新产品研发更先进的封装工艺及封装技术。 功率器件封装技术不断进步。

功率器件技术含量较高，在一定程度上能代表 分立器件封测行业的技术发展趋势。为提高功率密度和优化电源转化，分立器件封测需在器件和模块两个层面实现技术突破，进而提高产品的性能和使用寿命。

传统引线键合技术带来的虚焊、导通内阻高等问题逐步被球键合和楔键合等键合方式所解决。以烧结银焊接技术为代表的功率器件封装技术是行业追逐的热点， 该技术是目前最适合宽禁带半导体模块封装的界面连接技术之一，是碳化硅等宽禁带半导体模块封装中的关键技术，市场需求巨大，能够更好地实现高功率密度封装。

此外，以 Clip bond 为代表的分立器件封装工艺能够提高电流承载能力、 提升器件板级可靠性、有效降低器件热阻、提高封装效率，已成为华润微等国内主要厂商在功率器件封装领域掌握的主要技术。

小型化、模块化封装是当前分立器件封装技术发展的主要方向。随着 5G 网络、物联网等新兴领域的发展，分立器件呈现小型化、组装模块化和功能系统化的发展趋势，这对封测技术提出了更高要求，如尺寸和成本的限制、大批量生产和自动装配能力。此外，下游市场可穿戴设备等电子产品小型化需求的增长，也 对分立器件封装技术提出了新要求。