北京市经济技术开发区-高端半导体装备研发项目可行性研究报告
思瀚产业研究院 晶亦精微    2023-09-14

1、项目概述

项目建设地点位于北京市经济技术开发区北投亦庄产业园，拟通过租赁厂房的方式实施募投项目，租赁建筑面积 5,300.00 m2，计划总投资额 42,131.47 万元，建设周期为 5 年，新增各类设备 369 台（套）。

本项目根据行业发展趋势及半导体技术发展路径，结合公司现有技术积累，将持续不断地开发新产品和新技术，以智能化、精细化的全局平坦化技术优势为起点，拓展开发基于多种技术手段的高精度、超洁净亚纳米级表面处理技术，通过实施集成电路制造装备整机智能化开发子项目、下一代亚纳米级集成式表面处理工艺设备开发子项目、复合增效电化学机械抛光设备及成套工艺开发子项目和新型研磨液及研磨介质开发子项目，扩展公司新产品的应用领域和范围，增加公司在 CMP 设备行业的技术积累，进而提高公司核心竞争力。

2、项目建设的必要性

（1）提升产品技术水平，推动半导体装备国产化替代进程

全球 CMP 设备市场主要由美国应用材料和日本荏原占据，处于高度垄断状态。根据 Gartner 数据，上述两家制造商的 CMP 设备全球市场占有率超过 90%，尤其在 14nm 以下先进制程工艺产线上使用的 CMP 设备主要由美国应用材料和日本荏原两家国际巨头提供。

本项目通过对整机智能化开发、下一代亚纳米级CMP 技术、复合增效电化学机械抛光设备及成套工艺以及新型研磨液及研磨介质开发的研究，进一步增强公司技术储备，提升产品技术水平，推动我国半导体设备国产化替代进程。

（2）顺应半导体装备行业精密化和集成化趋势，提升晶圆平坦化技术

随着芯片制程的缩减、晶圆尺寸的增长以及芯片内部结构的日趋复杂，半导体制造环节对于 CMP 设备的平坦化效果、控制精度、系统集成度和后清洗技术要求越来越高，CMP 设备将朝着高精密化与高集成化的方向发展。

本项目主要通过对离子辅助平坦化技术、离子束抛光技术等原子级表面处理技术的研发以及对以电化学机械抛光为主、其他复合增效方式为辅的平坦化设备的开发来攻克电化学机械抛光终点检测、复合增效手段全局平坦化和多种材料 CMP 成套工艺等技术难点，有助于解决超低压高效全局平坦化的工艺需求，提升公司 CMP 设备的精密化和集成化。

（3）构建专业化研发平台，吸引专业人才

自主研发能力是企业之间竞争的核心，半导体设备企业的研发能力主要体现在专业的人才储备。随着下游需求的持续升级换代，公司现有研发设备及研发人员已无法满足更精密及更高端技术深度开发的要求。本项目通过购置先进研发测试设备，改善技术研发人员的工作条件，构建专业化研发平台，吸引和容纳更多行业内优秀研发人员，提升公司整体研发能力。

3、项目建设的可行性

（1）国家政策鼓励半导体行业发展

近年来，我国推出了一系列“新一代信息技术领域”及“半导体和集成电路”的产业支持政策，加速我国半导体设备的国产化。“十四五”规划中明确提出要推动集成电路等产业创新发展，瞄准集成电路重点装备等科技前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。

工信部发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2019 年版）》中也将化学机械抛光机作为集成电路生产装备之一列入该目录。根据工信部发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》，到 2030 年集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。国家一系列法规和政策为半导体行业的发展营造了良好的

政策环境，鼓励了我国半导体设备制造企业自主创新，有力地推动了我国半导体设备行业的产业化发展，为本项目的实施提供了良好的政策环境。

（2）丰富的人才和技术储备，为本项目的实施奠定良好的技术基础

截至 2022 年末，公司拥有研发人员 62 人，占公司总人数的比例为 28.05%。研发团队是公司技术水平持续提升、产品逐渐高端发展的重要支撑力量，为本次募投项目的技术研发提供了人才基础。公司高度重视核心技术的自主研发与创新，通过承担、实施各类重大科研项目，公司的技术创新能力得到了显著提升。

截至 2023 年 4 月 30 日，公司拥有已授权专利 83 项，其中发明专利 80 项，公司丰富的技术储备为本项目的实施奠定了良好的技术基础。

（3）完善的研发管理体系，为本项目的顺利开展提供有效保障

公司制定了系统化的科研管理与技术创新机制，在立项评审、项目管理、专家评审、科研经费管理、知识产权管理和创新奖励等多方面建立了完善的研发管理体系，为本项目的顺利开展提供有效保障。

4、项目研发内容

本项目以面向晶圆生产、集成电路制造、先进封装等先进电子行业的亚纳米级表面处理前沿技术作为研究对象，目标定位于开发出具有自主知识产权、行业领先的亚纳米级表面处理装备及成套工艺产品。

该项目以智能化、精细化的全局平坦化技术优势为起点，不断开发基于多种技术手段的高精度、超洁净亚纳米级表面处理技术，扩展公司新产品的应用领域和范围，具体研发子项目如下：

（1）集成电路制造装备整机智能化开发子项目

研发周期：60 个月

主要研发内容：针对集成电路制造商产线的大数据智能化工厂升级，开发对接客户端的大数据处理能力，升级整机数据挖掘能力，针对多参数输入、多指标输出系统开发人工智能算法，智能化赋能 CMP 整机工艺开发能力。

（2）下一代亚纳米级集成式表面处理工艺设备开发子项目

研发周期：60 个月

主要研发内容：以 CMP 工艺及装备研发在薄膜表面处理方面的技术积累为基础，针对尚未完成产业化但技术路线初步成型的第四代半导体材料及下一代高性能芯片制备过程中的表面处理需求，开发等离子辅助平坦化技术、离子束抛光技术等一系列原子级表面处理技术。

（3）复合增效电化学机械抛光设备及成套工艺开发子项目

研发周期：60 个月

主要研发内容：针对电子工业和精密物理领域对超低压高效全局平坦化工艺的需求，结合现有产品 Cu 高端制程低抛光压力或无应力的要求以及碳化硅等脆硬材料高去除率的工艺要求，开发以电化学机械抛光为主、其他复合增效方式为辅的平坦化设备，重点攻克电化学机械抛光终点检测、复合增效手段全局平坦化、多种材料电化学机械抛光成套工艺等技术难点。

（4）新型研磨液及研磨介质开发子项目

研发周期：60 个月

主要研发内容：随着半导体产品向高集成化、高密度化和高性能化的方向发展，对表面粗糙度及研磨效率的要求日益提高。本项目旨在完成对铜、碳化硅电化学机械抛光研磨液的开发，实现在电化学机械抛光外加电压的作用下，氧化和腐蚀抑制相协调，攻克加工过程晶圆表面划痕多、表面粗糙度增加等缺陷问题，满足客户端对 Cu 高端制程及碳化硅高效全局平坦化的工艺需求。

针对传统 CMP设备存在的抛光液磨料在抛光垫上分布密度不均匀、抛光效果差、利用率低、废液易污染环境等缺陷，本项目旨在开发新型抛光介质，提高抛光速率，扩大过抛工艺窗口，减少晶圆过抛时的凹陷和过蚀水平，提高产品良率。

5、项目投资估算

本项目拟使用募集资金 42,000.00 万元。