功率半导体器件呈高电压大电流应用趋势，功率半导体测试要求提高
思瀚产业研究院    2025-02-13

近年来，随着信息产业数字化、智能化、网络化的不断推进，新材料的不断涌现，下游新能源汽车、光伏、储能及逆变器等应用领域的拓展和行业需求的爆发，特别是在新能源汽车领域，对高效率、高可靠性功率器件的需求尤为迫切，这极大地推动了功率分立器件市场的拓展，促使功率半导体器件的电路密度和功率密度不断提高，趋向模块化、集成化，以满足市场对功率半导体器件高性能、高集成度和高可靠性日益增长的需求。

随着半导体技术迭代升级，中高端功率半导体器件的综合测试要求逐渐增多。以 MOSFET 和 IGBT 为代表的功率半导体呈现出高电压大电流的趋势，因此功率半导体测试系统需要能够满足对于高电压大电流实现高精度、高效率等测试要求，捕捉和分析器件的瞬态特性。

这对半导体测试设备厂商在测试系统结构设计、电路设计能力、电源控制能力、测试精度、信号抗干扰、被测器件保护、电路系统控制等方面提出了更高的技术创新和应用经验要求。

从成本的角度考虑，近年来随着电动汽车市场的快速发展，SiC 碳化硅凭借高效能、长寿命、小尺寸和简单设计等显著优势，使其在高功率应用中具有无可替代的地位。考虑到第三代半导体材料本身价格较高、制造过程复杂且各环节良率水平较低，若从晶圆产品经封装测试产出成品后再进行测试，将损失失效晶圆的封装成本和时间成本，因此虽然可靠性测试在通常在封装器件级进行，但许多芯片制造商正在转移到晶圆级测试，筛选出失效晶圆后再进行封装以降低成本。

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