智能功率半导体研发升级项目可行性分析报告
思瀚产业研究院 锴威特    2023-08-14

1、项目基本情况

智能功率半导体研发升级项目主要涉及公司的主营产品功率器件、功率 IC、IPM、光继电器（Photo MOS）等系列产品的技术升级、工艺制程优化及部分新品类的研发及规模化量产。

其中，功率器件主要包括高可靠性高压平面MOSFET（包括 FRMOS）、新一代超结 MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V屏蔽栅 MOSFET 产品；功率 IC包括高压高速栅极驱动 IC等产品。

该项目实施旨在继续加强公司在功率半导体产品的技术积淀，保持在功率器件、功率 IC、IPM、光继电器（Photo MOS）产品的领先优势，挖掘高性能智能功率半导体的发展潜力，打造全系列产品的技术创新平台，致力于成为市场一流的高性能、智能化功率半导体供应商。

2、项目投资概算

项目总投资 14,473.27 万元，其中，装修工程费用 320.27 万元，占比 2.21%；软硬件购置费用 2,479.88 万元，占比 17.13%；预备费 140.01 万元，占比 0.97%；办公场地租赁费用 76.46 万元，占比 0.53%；研发人员薪酬及福利费用 6,306.80万元，占比 43.58%；试产、试制费用 1,966.85万元，占比 13.59%；掩膜版费用2,933.00 万元，占比 20.26%；资质、认证及其他知识产权事务费用 250.00 万元，占比 1.73%。

3、项目周期和时间进度

本项目建设时间为 36 个月。本项目实施主要分为方案设计，可行性研究，办公场地租赁及装修，设备采购、安装及调试，人员招聘、培训和产品研发、升级及产业化等阶段。

4、备案程序的履行情况

本项目建设内容已于 2022 年 1 月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》（项目代码：2201-320582-89-01-687241）。

5、项目实施地点与环境保护事项

本项目在公司已有的办公场地进行项目的建设、实施，不涉及土建工程。本项目产品生产环节委托晶圆代工厂和封测厂进行加工，项目运营过程主要是对产品进行设计、开发和测试，因此项目运营过程中公司不产生废气、废水、废渣等工业污染物，不会对环境产生污染。

6、项目可行性及与公司现有主要业务、核心技术之间的关系

在智能功率半导体研发升级项目拟推出的新产品中，功率器件主要包括高可靠性高压平面 MOSFET（包括 FRMOS）、新一代超结 MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V 屏蔽栅 MOSFET 产品；功率 IC 主要包括高压高速栅极驱动IC等产品；其他产品主要包括 IPM、光继电器（Photo MOS）。

高可靠性高压平面 MOSFET（包括 FRMOS）是在公司已有的平面MOSFET（包括 FRMOS）成熟的设计平台及工艺平台的基础上进行的研制；新一代超结 MOSFET（SJMOS-FD）是在公司已有的超结 MOSFET 产品设计平台的基础上进行的研制；

40V-200V 屏蔽栅 MOSFET 是在公司已有屏蔽栅MOSFET 产品设计平台上研制；高压高速栅极驱动 IC 是在公司已有的功率 IC设计平台、测试及验证平台、可靠性考核平台、积累的 IP、成熟的工艺加工平台等基础之上研制；IPM 是在公司已有的栅极驱动 IC 及 FRMOS 基础上进行的研制；光继电器（Photo MOS）是公司在 MOSFET 工艺平台上结合公司拥有的光电转换芯片技术的基础上研制。

该项目实施旨在继续加强技术积淀、进一步完善和丰富产品系列、扩大产品销售规模，保持高性能、智能化功率半导体产品的优势。项目实施不改变公司主营业务，是公司原有业务的延展和深化，项目实施具有可行性。

上述研发项目是在公司已掌握的核心技术及积累的功率 IC 的 IP 基础上进行进一步的拓展开发。

可行性研究报告依据国家部门及地方政府相关法律、法规、标准，本着客观、求实、科学、公正的原则，在现有能够掌握的资料和数据的基础上，主要就项目建设背景、需求分析及必要性、可行性、建设规模及内容、建设条件及方案、项目投资及资金来源、社会效益、经济效益以及项目建设的环境保护等方面逐一进行研究论证，以确定项目经济上的合理性、技术上的可行性，为项目投资主体和主管部门提供决策参考。