中国自 2005 年以来成为全球集成电路市场最大消费国后,市场规模不断扩大,根据海关总署统计,2017 年-2021 年间,中国集成电路进口规模快速增长,进口数量从 3,763 亿个增长至6,355 亿个,增幅 68.8%。而另一方面,同期间出口数量增幅仅为 52.1%,贸易逆差持续扩大,国产化的进程仍待持续加速与深入推进。
根据 IC Insights 数据,2021 年中国集成电路自给率仅为 16%,若不包括在中国设厂的非大陆公司,自给率仅有 6%左右,而其中半导体存储器的国内自给率则更低,根据 BCG 及 SIA 数据不到 1%,实现国产自主可控意义重大。中国亟需加快形成以国内大循环为主体,国内国际双循环相互促进的新发展格局,从自主创新到自主可控,以科技创新支撑和引领经济社会循环发展全过程,构建自主可控的存储产业链。
目前,NAND FLASH 全球市场高度集中,主要由三星电子、美光科技、SK海力士等国际领先存储颗粒厂主导,并与全球范围内的领先终端客户、存储控制芯片公司、存储模组厂形成较为成熟的半导体存储器生态圈。在国家集成电路产业政策的推动下,我国 NAND FLASH 存储颗粒的工艺制程和堆叠层数等技术方面取得关键突破,以长江存储为代表的存储颗粒厂正缩小与国际领先存储颗粒厂的技术差距。
长江存储经过多年的研发和设备投入,已逐步开始量产并向市场供应 NAND FLASH 存储颗粒,打破了长期由境外存储颗粒厂垄断的市场格局。存储颗粒的销售额和行业影响力巨大,但在产品实现中须与存储控制芯片配套才能组成为存储器产品并落地应用。
海外存储控制芯片公司相较于国内存储控制芯片公司而言,因受到国际形势、国家信息安全、技术支持与运维服务力度等因素制约,无法满足国内客户需求。目前国内存储颗粒厂、存储模组厂正与国内技术较为先进的存储控制芯片公司合作,致力于打造技术领先的存储器产品,营造存储产业生态,形成产业闭环,共同服务于国内半导体存储器市场。